公开(公告)号：CN106945404A

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201710200069.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  向耘宏 ,  蒋履辉 ,  喻研 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: B41J2/16

CPC classification number: B41J2/1601

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。

公开(公告)号：CN106945404B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201710200069.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  向耘宏 ,  蒋履辉 ,  喻研 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: B41J2/16

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯‑碳纳米管复合结构的热喷印头及其制备方法，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管‑石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。

公开(公告)号：CN206664000U

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201720321370.4

申请日：2017-03-30

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周文利 ,  朱宇 ,  陈昌盛 ,  向耘宏 ,  蒋履辉 ,  喻研 ,  王耘波 ,  高俊雄

IPC: B41J2/16

Abstract: 本实用新型公开了一种基于石墨烯-碳纳米管复合结构的热喷印头，采用ICP工艺以及PDMS填充深沟的表面平坦化工艺，在硅片衬底上制备主通道、喷墨腔室、进墨通道、喷嘴、喷墨通道；采用阳极键合工艺，以石墨烯碎片作为中间层，将玻璃基底和硅片衬底键合。主通道和喷墨腔室通过进墨通道连通，进墨通道深度小于喷墨腔室深度；喷嘴设置在喷墨腔室底部；碳纳米管-石墨烯复合结构微气泡发生器阵列和碳纳米管温度传感器阵列制备在玻璃基底对应喷墨腔室的区域，且朝向喷墨腔室设置。该喷头进液关闭可靠、键合强度高、不易污染喷印腔室，制备时精度易于控制。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利