公开(公告)号：CN116355230B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202310321172.8

申请日：2023-03-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王成亮 ,  樊坤 ,  陈远 ,  戴慧超 ,  曹跃跃 ,  董焕丽

IPC: C08G83/00 ,  H01M4/60 ,  H01M4/137 ,  H01B1/12

Abstract: 本发明属于配位化学技术领域，公开了一种高导电的共轭配位聚合物材料及其制备与应用，该共轭配位聚合物材料是以2,3,7,8‑四氨基‑1,4,6,9‑四醌酚嗪作为配体，以铜离子作为中心金属节点，形成的具有三维框架结构的共轭配位聚合物。本发明通过对共轭配位聚合物材料的组成、结构进行改进，得到的具有三维框架结构的共轭配位聚合物，具有良好的结晶性，并且具有高导电性，粉末样品的导电率可达11S m‑1，晶体的导电率可达400S m‑1。本发明为高导电的共轭配位聚合物的设计及制备提供了新思路。

公开(公告)号：CN116355230A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310321172.8

申请日：2023-03-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王成亮 ,  樊坤 ,  陈远 ,  戴慧超 ,  曹跃跃 ,  董焕丽

IPC: C08G83/00 ,  H01M4/60 ,  H01M4/137 ,  H01B1/12

Abstract: 本发明属于配位化学技术领域，公开了一种高导电的共轭配位聚合物材料及其制备与应用，该共轭配位聚合物材料是以2,3,7,8‑四氨基‑1,4,6,9‑四醌酚嗪作为配体，以铜离子作为中心金属节点，形成的具有三维框架结构的共轭配位聚合物。本发明通过对共轭配位聚合物材料的组成、结构进行改进，得到的具有三维框架结构的共轭配位聚合物，具有良好的结晶性，并且具有高导电性，粉末样品的导电率可达11S m‑1，晶体的导电率可达400S m‑1。本发明为高导电的共轭配位聚合物的设计及制备提供了新思路。