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公开(公告)号：CN110211614B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201910511022.7
申请日：2019-06-13
Abstract: 本发明属于数字电路技术领域，公开了一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法，基于磁性斯格明子的锁存器为重金属HM层和铁磁FM层的双层结构，铁磁层中预置磁性斯格明子，使能端E上不施加电压E＝0时，通过对输入端D施加电压，控制磁性斯格明子在铁磁层中的位置，在使能端E上施加电压E＝1时，磁性斯格明子在铁磁层中的位置不随输入端D的状态变化；在本发明中，由两个基于磁性斯格明子的锁存器进行级联构成触发器。本发明大大减小了锁存器所占面积，有利于简化电路设计，可用于更高密度的时序逻辑电路；本发明磁存储具有非易失性，大大降低了锁存器和触发器的静态功耗。
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公开(公告)号：CN110211614A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910511022.7
申请日：2019-06-13
Abstract: 本发明属于数字电路技术领域，公开了一种基于磁性斯格明子的锁存器与触发器及控制方法，基于磁性斯格明子的锁存器为重金属HM层和铁磁FM层的双层结构，铁磁层中预置磁性斯格明子，使能端E上不施加电压E＝0时，通过对输入端D施加电压，控制磁性斯格明子在铁磁层中的位置，在使能端E上施加电压E＝1时，磁性斯格明子在铁磁层中的位置不随输入端D的状态变化；在本发明中，由两个基于磁性斯格明子的锁存器进行级联构成触发器。本发明大大减小了锁存器所占面积，有利于简化电路设计，可用于更高密度的时序逻辑电路；本发明磁存储具有非易失性，大大降低了锁存器和触发器的静态功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111446361B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202010261854.0
申请日：2020-04-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种热辅助磁性斯格明子存储器，属于数字电路技术领域，包括：依次叠放的钉扎层、隧穿层、自由层和重金属层；钉扎层、隧穿层和自由层构成磁隧道结；钉扎层和自由层均具有垂直磁各向异性；钉扎层和隧穿层为圆柱结构，且二者膜面均小于自由层的膜面，用于向自由层注入单向局部电流，以诱导自由层中斯格明子的产生，或使自由层中斯格明子湮灭；重金属层的膜面形状与自由层的膜面形状相同，用于与自由层产生界面DMI，以稳定斯格明子；钉扎层和重金属层外侧还分别叠放有热势垒层，且均由导热系数较低的材料制成，用于提高加热效率。本发明相比于传统的热辅助磁存储器，能够有效降低加热温度，提高存储器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN107846215B
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN201711049783.2
申请日：2017-10-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/17728
Abstract: 本发明公开了一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件，属于逻辑门电路技术领域。本发明所述逻辑器件为重金属层和铁磁层的双层结构；铁磁层由两条平行纳米线轨道局部相连构成；在两条纳米线轨道的左端各放置一个MTJ作为输入端，在其中一条纳米线轨道的右端放置一个MTJ作为输出端；对输入端施加电压或电流脉冲，产生斯格明子；输出端用于检测斯格明子；对输出控制端施加正负电压或电流脉冲，用于实现输出端高低电位的输出；分别在纳米线轨道的两个连接处之间设置两个传输控制端。本发明的一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件通过对输出控制端、传输控制端施加不同状态的电压或电流的组合，实现与、或、非、与非和或非逻辑功能。
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公开(公告)号：CN111446361A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010261854.0
申请日：2020-04-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种热辅助磁性斯格明子存储器，属于数字电路技术领域，包括：依次叠放的钉扎层、隧穿层、自由层和重金属层；钉扎层、隧穿层和自由层构成磁隧道结；钉扎层和自由层均具有垂直磁各向异性；钉扎层和隧穿层为圆柱结构，且二者膜面均小于自由层的膜面，用于向自由层注入单向局部电流，以诱导自由层中斯格明子的产生，或使自由层中斯格明子湮灭；重金属层的膜面形状与自由层的膜面形状相同，用于与自由层产生界面DMI，以稳定斯格明子；钉扎层和重金属层外侧还分别叠放有热势垒层，且均由导热系数较低的材料制成，用于提高加热效率。本发明相比于传统的热辅助磁存储器，能够有效降低加热温度，提高存储器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN115050402A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202110251732.8
申请日：2021-03-08
Abstract: 一种计算器件、计算芯片以及计算方法。本申请中，该计算器件的磁存储单元可以存储数据，磁存储单元包括层叠的重金属层以及磁体层。该计算器件的两个电流输入电路可以向磁存储单元中的重金属层中注入不同方向的电流。该计算器件的读电路与磁体层连接，可以读取磁存储单元的阻值，其中，磁存储单元的阻值在第一电流相同的情况下，随着多次注入的电流呈概率分布。本发明实施例提供的计算器件能够借助两个电流输入电路改变重金属层中的电流，可以使得磁体层的磁化方向以一定概率发生翻转，导致磁存储单元的阻值以一定概率发生变化，实现概率比特，且实现方式难度较小。
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公开(公告)号：CN107846215A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711049783.2
申请日：2017-10-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K19/177
Abstract: 本发明公开了一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件，属于逻辑门电路技术领域。本发明所述逻辑器件为重金属层和铁磁层的双层结构；铁磁层由两条平行纳米线轨道局部相连构成；在两条纳米线轨道的左端各放置一个MTJ作为输入端，在其中一条纳米线轨道的右端放置一个MTJ作为输出端；对输入端施加电压或电流脉冲，产生斯格明子；输出端用于检测斯格明子；对输出控制端施加正负电压或电流脉冲，用于实现输出端高低电位的输出；分别在纳米线轨道的两个连接处之间设置两个传输控制端。本发明的一种基于磁性斯格明子的可重构逻辑器件通过对输出控制端、传输控制端施加不同状态的电压或电流的组合，实现与、或、非、与非和或非逻辑功能。
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