公开(公告)号：CN110347336A

公开(公告)日：2019-10-18

申请号：CN201910497294.6

申请日：2019-06-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 万继光 ,  谢长生 ,  胡皓胜 ,  程志龙 ,  王中华

IPC: G06F3/06 ,  G06F16/22

Abstract: 本发明公开了一种基于NVM与SSD混合存储结构的键值存储系统，属于数据存储技术领域。本发明提出NVM与SSD混合存储的键值存储系统，在NVM上使用多个RangeTab结构来组织LSM-Tree的第0层键值数据，传统LSM-Tree结构的0层中各SSTable键范围是无序的，且键范围允许重叠，合并时因为较大的键范围容易读写更多的数据量，增加合并操作的时延，而本发明在第0层使用RangeTab结构重新组织键值数据，将多个RangeTab映射到不同且互不重叠的键范围中，Memtable键值数据由键范围将键值数据写入相应的RangeTab结构中，以缩短该层结构数据的合并时延；通过适当增加RangeTab结构的数量来增大所有RangeTab的数据容量。在相邻层容量之比保持不变的条件下，本发明每层能够容纳更多的数据量，LSM-Tree结构层数减少，系统合并的次数也会降低。

公开(公告)号：CN110347336B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201910497294.6

申请日：2019-06-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 万继光 ,  谢长生 ,  胡皓胜 ,  程志龙 ,  王中华

IPC: G06F3/06 ,  G06F16/22

Abstract: 本发明公开了一种基于NVM与SSD混合存储结构的键值存储系统，属于数据存储技术领域。本发明提出NVM与SSD混合存储的键值存储系统，在NVM上使用多个RangeTab结构来组织LSM‑Tree的第0层键值数据，传统LSM‑Tree结构的0层中各SSTable键范围是无序的，且键范围允许重叠，合并时因为较大的键范围容易读写更多的数据量，增加合并操作的时延，而本发明在第0层使用RangeTab结构重新组织键值数据，将多个RangeTab映射到不同且互不重叠的键范围中，Memtable键值数据由键范围将键值数据写入相应的RangeTab结构中，以缩短该层结构数据的合并时延；通过适当增加RangeTab结构的数量来增大所有RangeTab的数据容量。在相邻层容量之比保持不变的条件下，本发明每层能够容纳更多的数据量，LSM‑Tree结构层数减少，系统合并的次数也会降低。