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公开(公告)号：CN118171541B
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410591914.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14 , G06F119/18
Abstract: 本申请属于超导磁体技术领域，具体公开了一种超导磁体室温加工尺寸和位置的获取方法，S100：以超导线室温尺寸进行超导线圈电磁设计，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S201‑S202：以S100算得数据设计骨架，对磁体加载历史力学分析，提取超导线圈尺寸和位置变化以及励磁后超导线尺寸；S300：以获得的数据更新S100；S400：以步骤S202、S300等的数据反推步骤S300中励磁后超导线圈对应的绕制前超导线圈尺寸和位置；S500：对步骤S400的成果做力学分析，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S600：对步骤S300和步骤S500的励磁后超导线圈尺寸和位置的误差与容差比较，进行S300‑S500的数据迭代，确定超导磁体的室温加工尺寸。本申请能够降低超导线的尺寸、超导线圈尺寸和位置变化对磁场均匀度的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116994850B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310528018.8
申请日：2023-05-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超导磁体锻炼失超辅助和保护装置及超导磁体系统，该装置包括耦合线圈部件、电流调制部件和控制部件，耦合线圈部件采用耦合线圈组或耦合单线圈，耦合线圈部件设置在超导线圈对应位置的内侧；控制部件用于在超导磁体升场过程中，控制电流调制部件向耦合线圈部件通入第一负正弦半波脉冲电流以产生第一脉冲磁场，使得超导线圈在第一脉冲磁场作用下感应出脉冲电流，从而使得超导线圈在其感应的脉冲电流和耦合线圈部件的第一脉冲磁场的共同作用下，产生相应的脉冲安培力，进而触发超导磁体提前失超以实现超导磁体失超保护。本发明可在与超导磁体没有接触的状态下调控超导磁体电流，进而实现超导磁体安全、可靠的锻炼失超辅助和保护。
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公开(公告)号：CN120072458A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510536067.5
申请日：2025-04-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请属于磁体领域，具体公开了一种指纹形矢量磁体及其获取方法；具体包括：至少一个具有两瓣中心对称的指纹形线圈、和/或多匝筒式线圈；指纹形线圈和多匝筒式线圈均分布在同心的圆柱面上，且指纹形线圈和多匝筒式线圈的半径均不相同，使指纹形线圈和多匝筒式线圈相互嵌套；多匝筒式线圈用于在电流的作用下产生沿圆柱面轴心方向的均匀磁场；指纹形线圈用于在电流的作用下产生垂直于轴心方向的均匀磁场。本申请磁场调控便捷且控制精度较高。
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公开(公告)号：CN119694705A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411781027.9
申请日：2024-12-05
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01F6/00
Abstract: 本申请属于超导磁体系统的高温超导电流引线领域，具体公开了一种高温超导电流引线和超导磁体系统。通过本申请，新增的盖板和底板，将高温超导带材固定在中间并形成紧密贴合，使其在装配、运输、安装、降温、励磁等过程中受到的外力能够转移到加固结构上，从而消除高温超导带材上的应力集中和形变，能在兼顾引线热学性能与电学性能的同时，消除引线由于剪切应力和剥离应力受到力学损伤的可能性。
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公开(公告)号：CN116994850A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310528018.8
申请日：2023-05-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超导磁体锻炼失超辅助和保护装置及超导磁体系统，该装置包括耦合线圈部件、电流调制部件和控制部件，耦合线圈部件采用耦合线圈组或耦合单线圈，耦合线圈部件设置在超导线圈对应位置的内侧；控制部件用于在超导磁体升场过程中，控制电流调制部件向耦合线圈部件通入第一负正弦半波脉冲电流以产生第一脉冲磁场，使得超导线圈在第一脉冲磁场作用下感应出脉冲电流，从而使得超导线圈在其感应的脉冲电流和耦合线圈部件的第一脉冲磁场的共同作用下，产生相应的脉冲安培力，进而触发超导磁体提前失超以实现超导磁体失超保护。本发明可在与超导磁体没有接触的状态下调控超导磁体电流，进而实现超导磁体安全、可靠的锻炼失超辅助和保护。
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公开(公告)号：CN118171541A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410591914.3
申请日：2024-05-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F119/14 , G06F119/18
Abstract: 本申请属于超导磁体技术领域，具体公开了一种超导磁体室温加工尺寸和位置的获取方法，S100：以超导线室温尺寸进行超导线圈电磁设计，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S201‑S202：以S100算得数据设计骨架，对磁体加载历史力学分析，提取超导线圈尺寸和位置变化以及励磁后超导线尺寸；S300：以获得的数据更新S100；S400：以步骤S202、S300等的数据反推步骤S300中励磁后超导线圈对应的绕制前超导线圈尺寸和位置；S500：对步骤S400的成果做力学分析，获得励磁后超导线圈尺寸和位置；S600：对步骤S300和步骤S500的励磁后超导线圈尺寸和位置的误差与容差比较，进行S300‑S500的数据迭代，确定超导磁体的室温加工尺寸。本申请能够降低超导线的尺寸、超导线圈尺寸和位置变化对磁场均匀度的影响。
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