公开(公告)号：CN111299582A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN202010247868.7

申请日：2020-04-01

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 曹龙超 ,  周奇 ,  吴金红 ,  胡杰翔 ,  李京昌 ,  程吉 ,  盛闽华 ,  彭玉童

IPC: B22F3/105 ,  B33Y30/00

Abstract: 本申请公开了一种金属粉末激光选区熔化缺陷抑制装置，属于金属增材制造技术领域。本申请根据楞次定律和霍尔效应原理，液态导电金属在磁场中流动过程中会产生电磁力，这种力对熔池的流动行为有重要影响，从而抑制成形件的冶金缺陷。本发明包括励磁装置、磁场测量装置和磁场控制装置，所述励磁装置包括线圈和铁芯，所述铁芯置于线圈内部；所述磁场测量装置由四个磁场传感器构成，分布于工作平台四角，用于测量成形区域的磁场强度；所述磁场控制装置通过调节线圈中的电流实现对磁场强度和方向的控制。此发明装置具有结构简单，调节方便，成本低，易于装配于现有的金属粉末激光选区熔化设备等优点，能够有效抑制成形件的冶金缺陷。