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公开(公告)号：CN119836083A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510088169.5
申请日：2025-01-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10H29/03
Abstract: 本发明属于微型发光二极管组装相关技术领域，其公开了一种激光驱动的MicroLED芯片巨量转移装置及其制备方法与应用，所述装置包括转印图章，所述转印图章包括玻璃、激光敏感层、吸热层及空腔层，所述玻璃、所述激光敏感层及所述空腔层依次相连接，所述激光敏感层开设有通槽，所述吸热层设置在所述通槽内且与槽壁相连接，吸热层的各向异性导热特性在激光与芯片偏移照射时可以实现热量匀化；所述空腔层远离所述玻璃的一侧开设有多个间隔设置的空腔。本发明设置有加热层，通过加热层实现光热转换，利用热效应而不是激光烧蚀实现芯片转移，可以实现转印图章的多次可重复利用(即芯片的可逆转移)，从而减小了重复制作转印图章的时间。
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