公开(公告)号：CN114023876B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202111270628.X

申请日：2021-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 孙华军 ,  白娜 ,  王文琳 ,  缪向水

IPC: H10N70/20 ,  C30B25/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种超晶格铁电忆阻器，包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层，每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上依次堆叠形成；该功能层中任意一个由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能层的厚度均满足0.6‑5nm；第一功能材料为HfO2，第二功能材料为ZrO2或Al2O3。本发明通过对器件功能层结构及组成进行改进，区别于传统金属掺杂HfO2基铁电忆阻器，采用堆叠生长超晶格HfO2层和ZrO2层(或Al2O3层)作为铁电忆阻器功能层，具有良好的铁电性和忆阻特性。

公开(公告)号：CN114023876A

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN202111270628.X

申请日：2021-10-29

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 孙华军 ,  白娜 ,  王文琳 ,  缪向水

IPC: H01L45/00 ,  C30B25/00 ,  C30B29/16 ,  C30B29/20 ,  C30B29/68

Abstract: 本发明属于微电子器件技术领域，公开了一种超晶格铁电忆阻器，包括自下而上依次堆叠的下电极层、功能层和上电极层，其中，所述功能层是由至少一个超晶格单元构成的超晶格功能层，每一个超晶格单元是由第一功能材料和第二功能材料自下而上依次堆叠形成；该功能层中任意一个由第一功能材料或第二功能材料形成的子功能层的厚度均满足0.6‑5nm；第一功能材料为HfO2，第二功能材料为ZrO2或Al2O3。本发明通过对器件功能层结构及组成进行改进，区别于传统金属掺杂HfO2基铁电忆阻器，采用堆叠生长超晶格HfO2层和ZrO2层(或Al2O3层)作为铁电忆阻器功能层，具有良好的铁电性和忆阻特性。