公开(公告)号：CN101011651A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200610125569.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 尹盛 ,  李战春 ,  王敬义 ,  王飞 ,  王家鑫

IPC: B01J19/00 ,  B01J8/08 ,  C23F1/08 ,  C23F1/24 ,  C01B33/021

CPC classification number: Y02P20/149

Abstract: 硅粉表面刻蚀装置，属于等离子体应用，目的在于缩短反应时间，减化结构，提高硅粉纯化效率。本发明反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统，反应室内平行装有板式阳极和阴极，阴极与水冷装置连接，水冷装置通过密封波纹管与反应室底部活动连接，水冷装置底端通过振动转换杆连接振动源；密封波纹管、振动转换杆和振动源位于底架上，底架与反应室底部固定连接并安装于倾角调整支架上。本发明倾斜式的振动阴极使粉粒总处于阴极表面附近缓慢下滑，振动使粉粒均布于阴极，打散硅粉团块，该处离子能量最高刻蚀速率也高，下滑时间高达5至10分钟，因此可一次处理满足刻蚀要求；由于只采用氩气进行物理刻蚀，非常有利于环保和操作人员健康。

公开(公告)号：CN100423828C

公开(公告)日：2008-10-08

申请号：CN200610125569.6

申请日：2006-12-22

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 尹盛 ,  李战春 ,  王敬义 ,  王飞 ,  王家鑫

IPC: B01J19/00 ,  B01J8/08 ,  C23F1/08 ,  C23F1/24 ,  C01B33/021

CPC classification number: Y02P20/149

Abstract: 硅粉表面刻蚀装置，属于等离子体应用，目的在于缩短反应时间，减化结构，提高砖粉纯化效率。本发明反应室上连接投料罐、出料罐和刻蚀气体输送系统，反应室内平行装有板式阳极和阴极，阴极与水冷装置连接，水冷装置通过密封波纹管与反应室底部活动连接，水冷装置底端通过振动转换杆连接振动源；振动源位于底架上，底架与反应室底部固定连接并安装于倾角调整支架上。本发明倾斜式的振动阴极使粉粒总处于阴极表面附近缓慢下滑，振动使粉粒均布于阴极，打散硅粉团块，该处离子能量最高刻蚀速率也高，下滑时间高达5至10分钟，因此可一次处理满足刻蚀要求；由于只采用氩气进行物理刻蚀，非常有利于环保和操作人员健康。