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公开(公告)号：CN116406212A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310458050.3
申请日：2023-04-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于调控FA1‑xCsxPbBryI3‑y钙钛矿薄膜缺陷和应力的高沸点砜类添加剂，具体调控生长方法包括：将高沸点砜类添加剂溶解于FA1‑xCsxPbBryI3‑y钙钛矿前驱体溶液中；然后将所得钙钛矿溶液涂覆在基板上，反溶剂萃取，得钙钛矿前驱体薄膜；再进行退火处理，即得改性钙钛矿薄膜。采用本发明所述高沸点砜类添加剂可有效避免δ相FAPbI3向α相FAPbI3转变过程中晶胞体积收缩带来的拉伸应力等问题，并进一步释放高温退火过程中的拉伸应力，有效降低薄膜体相缺陷态密度，抑制钙钛矿薄膜中的非辐射复合，显著提高钙钛矿太阳能电池的光伏性能；且涉及的调控方法简单、能耗较低，适合推广应用。
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