公开(公告)号：CN101315810A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200810047681.1

申请日：2008-05-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 余国义 ,  邹雪城 ,  雷鑑铭 ,  刘冬生 ,  陈晓飞 ,  余凯 ,  龙爽 ,  陈云武 ,  王伟旭 ,  陈越 ,  陈龙

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种静态随机访问存储器单元，包括锁存电路、位选择电路和单掷开关电路，单掷开关电路的两端分别接锁存电路的第一数据存储节点和第二数据存储节点。与现有的技术相比，本发明的安全自擦除链路可以等效为一个“单掷开关”，它不会影响SRAM的正常工作，只有当SRAM突然掉电的情况下，“单掷开关”才会闭合，在SRAM锁存单元的数据保存节点之间形成一条低阻通路，迫使锁存单元成为一个等势体，完成信息自擦除。这种存储器单元可以有效地保护用户信息，防止SRAM存储的敏感数据和私密信息被窃取和人为攻击，从根本上解决了SRAM的信息残留问题，拓宽了SRAM在领域的应用。

公开(公告)号：CN100576349C

公开(公告)日：2009-12-30

申请号：CN200810047681.1

申请日：2008-05-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 余国义 ,  邹雪城 ,  雷鑑铭 ,  刘冬生 ,  陈晓飞 ,  余凯 ,  龙爽 ,  陈云武 ,  王伟旭 ,  陈越 ,  陈龙

IPC: G11C11/413

Abstract: 本发明公开了一种静态随机访问存储器单元，包括锁存电路、位选择电路和单掷开关电路，单掷开关电路的两端分别接锁存电路的第一数据存储节点和第二数据存储节点。与现有的技术相比，本发明的安全自擦除链路可以等效为一个“单掷开关”，它不会影响SRAM的正常工作，只有当SRAM突然掉电的情况下，“单掷开关”才会闭合，在SRAM锁存单元的数据保存节点之间形成一条低阻通路，迫使锁存单元成为一个等势体，完成信息自擦除。这种存储器单元可以有效地保护用户信息，防止SRAM存储的敏感数据和私密信息被窃取和人为攻击，从根本上解决了SRAM的信息残留问题，拓宽了SRAM在领域的应用。