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公开(公告)号：CN100574101C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200610125126.7
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。它包括电流源I1、二个输入MOS管、三个负载MOS管和用于调节比较器的阈值的迟滞调节器。当输入MOS管为NMOS管时，负载MOS管采用PMOS管，反之亦然。电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100536332C
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200610125127.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种单边迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。该电路包括电流源、二个输入MOS管、三个负载MOS管和迟滞调节器，其中迟滞调节器用于调节比较器的阈值，由负载MOS管、反馈MOS管和反馈开关组成。该电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。在此基础上加入提供相应输出电压摆幅和合理输出电阻的输出级电路以及相应的反馈支路。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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公开(公告)号：CN1968016A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610125126.7
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。它包括电流源I1、二个输入MOS管、三个负载MOS管和用于调节比较器的阈值的迟滞调节器。当输入MOS管为NMOS管时，负载MOS管采用PMOS管，反之亦然。电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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公开(公告)号：CN101013884A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610125127.1
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明公开了一种单边迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。该电路电流源、二个输入MOS管、三个负载MOS管和迟滞调节器，其中迟滞调节器用于调节比较器的阈值，由负载MOS管、反馈MOS管和反馈开关组成。该电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。在此基础上加入提供相应输出电压摆幅和合理输出电阻的输出级电路以及相应的反馈支路。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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公开(公告)号：CN201018463Y
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200620157552.4
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本实用新型公开了一种单边迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。该电路电流源、二个输入MOS管、三个负载MOS管和迟滞调节器，其中迟滞调节器用于调节比较器的阈值，由负载MOS管、反馈MOS管和反馈开关组成。该电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。在此基础上加入提供相应输出电压摆幅和合理输出电阻的输出级电路以及相应的反馈支路。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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公开(公告)号：CN201011715Y
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200620157551.X
申请日：2006-11-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本实用新型公开了一种迟滞比较器，该电路是为低压低功耗芯片中的保护电路或者是检测电路专门设计。它包括电流源I1、二个输入MOS管、三个负载MOS管和用于调节比较器的阈值的迟滞调节器。当输入MOS管为NMOS管时，负载MOS管采用PMOS管，反之亦然。电路单边阈值与电路器件参数无关，即只要固定了比较器一个输入端电压就可以精确确定单边阈值。电路具有不对称的正反馈回路构成迟滞比较器的迟滞电路，能产生阈值电压并能完成比较功能。电路本身是一个相对独立的部分。电路中还设置了合适的正反馈支路以及输出级支路，以及提供了静电保护作用的MOS管和电阻。
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