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公开(公告)号：CN117560930A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311555393.8
申请日：2023-11-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铪基铁电器件及其制备方法，属于微电子器件技术领域；包括从上到下依次分布的上电极层、铪基铁电功能层和下电极层；其中，下电极层为上表面经过氧化处理后的电极层。通过对下电极和铪基铁电功能层界面进行改进，通过氧化处理下电极的方式在下电极和铪基铁电功能层界面处形成一层富氧层，实现了下电极和铁电层界面化学组分的调节，减少了铁电层及其异质界面的氧空位缺陷，补偿了界面处缺失氧，抑制了铁电o相的转换，降低了器件漏电流和极化翻转势垒，在不影响铪基铁电器件其他性能的条件下提高了铁电相含量。
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