一种石墨烯基电磁屏蔽复合材料

    公开(公告)号:CN109526191A

    公开(公告)日:2019-03-26

    申请号:CN201811197981.8

    申请日:2018-10-15

    Inventor: 王帅 池凯

    CPC classification number: H05K9/0088

    Abstract: 本发明属于电磁屏蔽功能材料领域,更具体地,涉及一种石墨烯基电磁屏蔽复合材料。其包括至少两层石墨烯膜层,且所述两层石墨烯膜层之间设有非石墨烯间隔层,所述非石墨烯间隔层用于将所述两层石墨烯膜层隔开一定的距离;所述石墨烯膜层的主要成分为石墨烯;其中石墨烯含量为50%以上;所述石墨烯膜层粘附于所述非石墨烯间隔层的上表面和下表面。通过在板材基底材料的两面粘附一定厚度的石墨烯膜层,通过在两层石墨烯膜层之间间隔一定的距离,利用电磁波在两个界面反复反射、吸收、衰减的原理,提高该材料的电磁屏蔽效果。

    石墨烯泡沫-聚多巴胺复合膜的制备及其产物与应用

    公开(公告)号:CN106422816B

    公开(公告)日:2018-11-27

    申请号:CN201610841373.0

    申请日:2016-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯泡沫‑聚多巴胺复合膜的制备及其产物与应用,其中该制备方法包括以下步骤:(1)制备石墨烯泡沫‑聚多巴胺:调节氧化石墨烯溶液的pH值,再加入盐酸多巴胺得到前驱体溶液,进行水热反应即得到石墨烯泡沫‑聚多巴胺;(2)制备石墨烯泡沫‑聚多巴胺复合膜:将石墨烯泡沫‑聚多巴胺加入到N,N‑二羟乙基甘氨酸中,并与温敏性聚合物相混合,搅拌、真空抽滤即得到温敏性石墨烯泡沫‑聚多巴胺复合膜。本发明通过对关键制备工艺的整体工艺设计、各步骤的反应条件等进行改进,制备得到的石墨烯泡沫‑聚多巴胺复合膜具有良好的温敏性,优良的超亲水性和水下超疏油性,非常适用于应用于油水分离。

    一种三维多孔陶瓷-石墨烯块体复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN108117410A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201711374220.0

    申请日:2017-12-19

    Abstract: 本发明属于无机复合材料制备技术领域,更具体地,涉及一种三维多孔陶瓷-石墨烯块体复合材料及其制备方法。该制备方法包括如下步骤:(1)将三维多孔陶瓷块体浸泡在含有对石墨烯生长具有催化作用的金属离子的盐溶液中,使溶液离子渗透进入所述陶瓷块体的孔隙中;取出后烘干表面水分,得到陶瓷-催化剂块体;(2)将步骤(1)所述陶瓷-催化剂块体在还原气氛中加热还原,使所述含有对石墨烯生长具有催化作用的金属离子的盐在所述陶瓷-催化剂块体中还原形成金属颗粒,该金属颗粒为催化剂;然后在含碳气体中进行原位气相沉积使石墨烯生长沉积在所述三维多孔陶瓷骨架表面,制得三维多孔陶瓷-石墨烯块体复合材料。

    碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料及其制备

    公开(公告)号:CN112018361B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN202010899382.1

    申请日:2020-08-31

    Inventor: 王帅 吴竹 池凯

    Abstract: 本发明属于电池技术领域,公开了一种碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料及其制备,其中,碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料包括碳布和位于该碳布上的由垂直二维纳米片作为构筑单元彼此交错并相连所构成的三维阵列,二维纳米片为氮掺杂碳镶嵌CoSe2颗粒,CoSe2颗粒周围被结晶碳所包覆;二维纳米片厚度为100‑200nm。本发明通过对负极材料的细节组成及结构,相应制备方法的整体流程设计、以及关键工艺的参数条件设置(如原料的选取、电沉积参数等)进行改进,与现有技术相比,得到的负极材料具有较高的比容量,优异的循环性能和倍率性能,且可以同时应用到锂离子电池和钠离子电池中。

    一种晶圆级石墨烯微纳米单晶阵列的制备方法

    公开(公告)号:CN108441948A

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201810369683.6

    申请日:2018-04-24

    Inventor: 王帅 郭巍 池凯

    Abstract: 本发明属于石墨烯材料合成制备技术领域,更具体地,涉及一种晶圆级石墨烯微纳米单晶阵列的制备方法。在含有甲烷和氧气的混合气氛中,在多晶铜箔表面进行化学气相沉积法生长获得石墨烯微纳米单晶阵列,其中甲烷作为石墨烯生长的碳源,铜箔作为石墨烯生长的催化基底,氧气作为所述石墨烯单晶阵列形成过程中的刻蚀气体。本发明提出的方法,用简单的一步化学气相沉积法直接制备出石墨烯阵列结构,克服了石墨烯薄膜在后续应用中需要进行复杂的微纳米加工、刻蚀等繁琐步骤的缺点,实现了大面积微纳米石墨烯单晶的低成本快速制备,便于在大规模器件制备中的应用。

    石墨烯泡沫-聚多巴胺复合膜的制备及其产物与应用

    公开(公告)号:CN106422816A

    公开(公告)日:2017-02-22

    申请号:CN201610841373.0

    申请日:2016-09-22

    Abstract: 本发明公开了一种石墨烯泡沫-聚多巴胺复合膜的制备及其产物与应用,其中该制备方法包括以下步骤:(1)制备石墨烯泡沫-聚多巴胺:调节氧化石墨烯溶液的pH值,再加入盐酸多巴胺得到前驱体溶液,进行水热反应即得到石墨烯泡沫-聚多巴胺;(2)制备石墨烯泡沫-聚多巴胺复合膜:将石墨烯泡沫-聚多巴胺加入到N,N-二羟乙基甘氨酸中,并与温敏性聚合物相混合,搅拌、真空抽滤即得到温敏性石墨烯泡沫-聚多巴胺复合膜。本发明通过对关键制备工艺的整体工艺设计、各步骤的反应条件等进行改进,制备得到的石墨烯泡沫-聚多巴胺复合膜具有良好的温敏性,优良的超亲水性和水下超疏油性,非常适用于应用于油水分离。

    碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料及其制备

    公开(公告)号:CN112018361A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010899382.1

    申请日:2020-08-31

    Inventor: 王帅 吴竹 池凯

    Abstract: 本发明属于电池技术领域,公开了一种碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料及其制备,其中,碳布负载碳包覆的硒化钴纳米片电池负极材料包括碳布和位于该碳布上的由垂直二维纳米片作为构筑单元彼此交错并相连所构成的三维阵列,二维纳米片为氮掺杂碳镶嵌CoSe2颗粒,CoSe2颗粒周围被结晶碳所包覆;二维纳米片厚度为100-200nm。本发明通过对负极材料的细节组成及结构,相应制备方法的整体流程设计、以及关键工艺的参数条件设置(如原料的选取、电沉积参数等)进行改进,与现有技术相比,得到的负极材料具有较高的比容量,优异的循环性能和倍率性能,且可以同时应用到锂离子电池和钠离子电池中。

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