公开(公告)号：CN112331766B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202011154078.0

申请日：2020-10-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨蕊 ,  何慧凯 ,  江勇波 ,  黄腾

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 本发明属于半导体存储相关技术领域，其公开了一种基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化。本发明使得碲化钼2H和1T’之间的相转变更容易发生，降低相转变的操作电压，同时提高转变速度和循环寿命。

公开(公告)号：CN112331766A

公开(公告)日：2021-02-05

申请号：CN202011154078.0

申请日：2020-10-26

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨蕊 ,  何慧凯 ,  江勇波 ,  黄腾

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明属于半导体存储相关技术领域，其公开了一种基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化。本发明使得碲化钼2H和1T’之间的相转变更容易发生，降低相转变的操作电压，同时提高转变速度和循环寿命。

公开(公告)号：CN213992892U

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202022042030.2

申请日：2020-09-17

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 王启航 ,  国瀚文 ,  丁浚纯 ,  胡力夫 ,  江勇波 ,  刘振武 ,  占俊民 ,  陈家振 ,  刘演冰 ,  刘伦洪

IPC: A47B61/00 ,  A47B97/00 ,  H04N7/18 ,  H04L29/08 ,  A61L2/08 ,  B01D53/26

Abstract: 本实用新型公开了一种智能衣柜，包括本体、运送机构以及控制机构。其中，本体包括方形框架以及密封板，所述密封板的侧面设有柜门以及可视化面板，该柜门可抽拉且其内表面设有卡钩；运送机构包括第一链条和第二链条、设于所述第一链条和第二链条上的滑轨、设于滑轨的滑槽内的置衣板，第一链条和第二链条转动进而带动置衣板在所述框架的内部空间内移动，置衣板上设有与卡钩配合的卡槽使得置衣板可随柜门拉出；控制机构包括摄像头、第一控制端以及第二控制端，所述第二控制端接收第一控制端的控制指令对衣柜内机构进行控制。本实用新型可以实现衣物的智能存取和自动化管理。