公开(公告)号：CN101394177B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810197387.9

申请日：2008-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 邹雪城 ,  刘政林 ,  林映嫣 ,  王双洋 ,  雷鑑铭 ,  高专 ,  李伟 ,  杨蕾

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明公开了一种具有抗噪声和负载自适应能力的输出缓冲电路，它包括前级驱动器、第一充放电电路和第二充放电电路，前级驱动器为第一充放电电路和第二充放电电路提供驱动信号，并使得第一充放电电路和第二充放电电路在不同的时刻导通。第一放电电路中二极管形式连接的PMOS管和二极管连接的NMOS管在充放电快结束时自动关断，增大了从输出端看到的电阻，使得电路具有很好的抗噪声特性。另外，本发明的结构可以使得两条充放电电路同时导通的时间长短占整个转换过程的比例大小，即电路提供的驱动能力，随负载的变化而变化，从而具有负载自适应能力。因此本发明具有低功耗、抗噪声、负载自适应特性。

公开(公告)号：CN101394177A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810197387.9

申请日：2008-10-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 邹雪城 ,  刘政林 ,  林映嫣 ,  王双洋 ,  雷鑑铭 ,  高专 ,  李伟 ,  杨蕾

IPC: H03K19/0175

Abstract: 本发明公开了一种具有抗噪声和负载自适应能力的输出缓冲电路，它包括前级驱动器、第一充放电电路和第二充放电电路，前级驱动器为第一充放电电路和第二充放电电路提供驱动信号，并使得第一充放电电路和第二充放电电路在不同的时刻导通。第一放电电路中二极管形式连接的PMOS管和二极管连接的NMOS管在充放电快结束时自动关断，增大了从输出端看到的电阻，使得电路具有很好的抗噪声特性。另外，本发明的结构可以使得两条充放电电路同时导通的时间长短占整个转换过程的比例大小，即电路提供的驱动能力，随负载的变化而变化，从而具有负载自适应能力。因此本发明具有低功耗、抗噪声、负载自适应特性。