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公开(公告)号:CN117092868A
公开(公告)日:2023-11-21
申请号:CN202311105273.8
申请日:2023-08-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/313
Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域,公开了一种相变材料辅助的光开关、光开关阵列。该相变材料辅助的光开关包括两条相互平行设置的耦合波导和相变材料;将两条耦合波导形成的整体结构沿着两条耦合波导的平行方向划分为第一对称耦合区域,移相区域和第二对称耦合区域,其中第一对称耦合区域与第二对称耦合区域基于移相区域左右镜像对称设置;且,相变材料沉积在其中一条耦合波导中对应移相区域的波导段。本发明首次采用相变材料辅助的具有移相区域的非对称定向耦合结构的设计,并通过改变相变材料相变态来改变中心移相区域的相移量,使得非对称定向耦合结构整体耦合系数发生改变,以此实现开关路由的效果。
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公开(公告)号:CN115666215A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202210789249.X
申请日:2022-07-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于电磁结构与激光加工相关技术领域,并公开了一种激光擦写式频率选择表面的制备方法,包括:在绝缘基体表面沉积高阻态记忆相变膜层和透射性保护层;通过不同阻态相变参数的脉冲激光对沉积的记忆相变膜层进行可逆诱导相变;采用激光扫描直接写入或掩膜投影加工,制得所需的频率选择表面产品。通过本发明,能够以高效可控、可靠性好的方式实现频率选择表面的制备、修改和重构功能。所制得的产品具有非易失性以及较强的稳定性能,可对谐振单元图形尺寸和阵列进行重复修改,确保复杂曲面的频率选择表面制备精度和质量,同时可大范围改变频率选择表面的谐振频率及传输通带。该制备方法还具备无污染、对绝缘基体表面不产生任何损伤等优点。
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公开(公告)号:CN119493313A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202411852538.5
申请日:2024-12-16
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/313
Abstract: 本发明属于集成光子器件的技术领域,公开了一种基于相变材料的全内反射光开关及其使用方法,对所述相变材料区进行第一前处理,所述相变材料区中的相变材料从晶态完全转化为非晶态,使所述相变材料的折射率与所述波导的折射率差值大于0.6,此时,全内反射光开关处于“交叉”状态;对所述相变材料区进行第二前处理,所述相变材料区中的相变材料从非晶态完全转化为晶态,使所述相变材料的折射率与所述波导的折射率差值为0~0.2,此时,实现了全内反射光开关的“直通”功能,显著降低了光开关的功耗,优化光开关的性能指标,实现多模态光信号传输,推动其在高速光通信、光互连及光计算领域的应用。
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公开(公告)号:CN117742012A
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202311830344.0
申请日:2023-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/01
Abstract: 本发明公开了一种相变材料辅助的可调片上偏振旋转器。偏振旋转器包括:依次设置在同一条波导上的第一模式偏转区域、移相区域和第二模式偏转区域;第一模式偏转区域与第二模式偏转区域基于移相区域左右镜像对称设置,第一模式偏转区域和第二模式偏转区域改变经过光束的偏振状态;移相区域搭载相变材料,移相区域通过改变相变材料的相变态来改变移相区域的相移量,从而改变光束在经过移相区域之后不同偏振态之间的相位差,以使不同相位差的光束在经过第二模式偏转区域时,产生不同的光束的模式转换结果。通过改变相变材料的相变态,调控光信号在移相区域的偏振态,实现对光信号模式的选择性偏转。
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公开(公告)号:CN117369048A
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN202311400871.8
申请日:2023-10-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开了一种低串扰的密集波导阵列和光学产品,属于波导阵列设计技术领域,波导阵列包括并排平行延伸的N根波导,每根波导具有K个级联的三段式结构,三段式结构包括沿延伸方向依次连接的第一耦合区、移相区和第二耦合区,其中,在每一个三段式结构中,第一耦合区和第二耦合区的结构相同;在不同的的波导i和波导j中,波导i中的第一耦合区与波导j的第一耦合区结构相同、波导i中的第二耦合区与波导j的第二耦合区结构相同;相邻波导的移相区的相位差为π。采用上述周期性的三段式结构的波导设计,可以大幅度降低整体波导串扰,本发明设计方案简单且适用于间距较小的密集型波导阵列并实现低串扰传输。
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