公开(公告)号：CN117117612B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202311066740.0

申请日：2023-08-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁文豪 ,  张家瑞 ,  黄鑫 ,  李旭莹 ,  朱德源 ,  陆泽晃

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/00

Abstract: 本发明公开了提高光隔离度的非平面环形腔激光器及光隔离度提高方法，属于激光器技术领域，本发明将二极管激光器输出的泵浦光投射到输入耦合器内，根据Nd：YAG晶体的摆放位置调节输入耦合器的位置，使得泵浦光以30°的入射角进入Nd：YAG晶体，并在所述Nd：YAG晶体内受激辐射，保证了由Nd：YAG晶体输出的信号光激光功率最强，此时经Nd：YAG晶体输入/输出面反射的泵浦光激光功率最小；随后根据输出的信号光的光束位置调整输出耦合器的位置，使得所述信号光以30°的入射角进入输出耦合器，从而保证输出耦合器耦合效率最高。

公开(公告)号：CN117117621A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311066739.8

申请日：2023-08-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁文豪 ,  李旭莹 ,  张家瑞 ,  黄鑫 ,  朱德源 ,  陆泽晃

IPC: H01S3/10 ,  H01S3/02

Abstract: 本发明公开了调整Nd：YAG激光器输出光偏振的波片组结构和方法，属于激光光电子技术领域，所述波片组结构包括二分之一波片、四分之一波片和波片架，将四分之一波片和二分之一波片依次固定在波片架上，将波片架固定在Nd:YAG晶体的输出光的一侧，使晶体的输出光垂直依次射入四分之一波片和二分之一波片。本发明利用波片改变Nd：YAG晶体的出光偏振不仅提高晶体激光的利用率，而且不改变晶体出光的光路；固定波片的波片架可以将二分之一波片和四分之一波片固定牢靠，出光偏振变化仅有微小波动，并可以保证激光器的结构紧凑几乎不影响激光器的整体封装尺寸及质量。

公开(公告)号：CN117117613A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311066752.3

申请日：2023-08-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁文豪 ,  朱德源 ,  张家瑞 ,  李旭莹 ,  黄鑫 ,  陆泽晃

IPC: H01S3/067

Abstract: 本发明公开了一种非平面环形腔激光器封装结构，属于激光光电子技术领域，包括输入耦合头、输出耦合头、晶体芯片和封装壳，封装壳包括横板、至少一个侧壁A和两个侧壁B，所有侧壁A和两个侧壁B围绕在横板上构成封装壳，输入耦合头和输出耦合头分别可拆卸固定在两个竖壁B上，且输入耦合头的输入光方向和输出耦合头的接收光方向均与两个竖壁B相垂直，晶体芯片设置在横板内，输入耦合头的输入光以30°的入射角进入晶体芯片。本发明封装结构的内部空间紧凑，整体为对称的结构，入射与出射光均垂直于整个封装结构，外界环境发生变化或者因温度变化而导致热胀冷缩效应时，保证输入和输出的耦合相对于晶体的位置不发生改变。

公开(公告)号：CN117117612A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202311066740.0

申请日：2023-08-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁文豪 ,  张家瑞 ,  黄鑫 ,  李旭莹 ,  朱德源 ,  陆泽晃

IPC: H01S3/067 ,  H01S3/00

Abstract: 本发明公开了提高光隔离度的非平面环形腔激光器及光隔离度提高方法，属于激光器技术领域，本发明将二极管激光器输出的泵浦光投射到输入耦合器内，根据Nd：YAG晶体的摆放位置调节输入耦合器的位置，使得泵浦光以30°的入射角进入Nd：YAG晶体，并在所述Nd：YAG晶体内受激辐射，保证了由Nd：YAG晶体输出的信号光激光功率最强，此时经Nd：YAG晶体输入/输出面反射的泵浦光激光功率最小；随后根据输出的信号光的光束位置调整输出耦合器的位置，使得所述信号光以30°的入射角进入输出耦合器，从而保证输出耦合器耦合效率最高。

公开(公告)号：CN117154522B

公开(公告)日：2024-10-25

申请号：CN202311066744.9

申请日：2023-08-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁文豪 ,  黄鑫 ,  张家瑞 ,  李旭莹 ,  朱德源 ,  陆泽晃

IPC: H01S3/106 ,  H10N30/20

Abstract: 本发明提供了一种提高Nd：YAG晶体调制带宽的方法，属于激光器调频技术领域，包括如下步骤：将单层压电陶瓷PZT粘接于Nd：YAG晶体的上表面；在横向工作模式下对PZT施加电压调制信号，使施加压力状态下的PZT发生振动对Nd：YAG晶体产生应力，以改变Nd：YAG晶体腔长，得到提高后的频率带宽。本发明通过在Nd：YAG晶体上粘接单层压电陶瓷，并在横向工作模式下对PZT施加电压调制信号，有效地提高了压电陶瓷位移引起的Nd：YAG晶体腔长的变化响应，使压电调制带宽提高到约180kHz。

公开(公告)号：CN117154522A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202311066744.9

申请日：2023-08-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 袁文豪 ,  黄鑫 ,  张家瑞 ,  李旭莹 ,  朱德源 ,  陆泽晃

IPC: H01S3/106 ,  H10N30/20

Abstract: 本发明提供了一种提高Nd：YAG晶体调制带宽的方法，属于激光器调频技术领域，包括如下步骤：将单层压电陶瓷PZT粘接于Nd：YAG晶体的上表面；在横向工作模式下对PZT施加电压调制信号，使施加压力状态下的PZT发生振动对Nd：YAG晶体产生应力，以改变Nd：YAG晶体腔长，得到提高后的频率带宽。本发明通过在Nd：YAG晶体上粘接单层压电陶瓷，并在横向工作模式下对PZT施加电压调制信号，有效地提高了压电陶瓷位移引起的Nd：YAG晶体腔长的变化响应，使压电调制带宽提高到约180kHz。