公开(公告)号：CN109427707A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710772472.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  黄志召 ,  李宇雄 ,  陈宇 ,  康勇

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种功率器件的三维封装结构及封装方法，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC基板)、柔性印刷电路板(即FPC板)、引线、散热基板、解耦电容、用于集成风扇的散热器以及外壳，形成由功率器件构成的半桥电路结构；本发明提供的这种封装结构及封装方法，优化了功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡；利用FPC板可弯曲的特性，构成了三维封装结构，提高了功率密度。

公开(公告)号：CN109427707B

公开(公告)日：2020-07-07

申请号：CN201710772472.2

申请日：2017-08-31

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  黄志召 ,  李宇雄 ,  陈宇 ,  康勇

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/467 ,  H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明公开了一种功率器件的三维封装结构及封装方法，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC基板)、柔性印刷电路板(即FPC板)、引线、散热基板、解耦电容、用于集成风扇的散热器以及外壳，形成由功率器件构成的半桥电路结构；本发明提供的这种封装结构及封装方法，优化了功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡；利用FPC板可弯曲的特性，构成了三维封装结构，提高了功率密度。

公开(公告)号：CN107591377B

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201710816578.8

申请日：2017-09-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  黄志召 ,  李宇雄 ,  陈宇 ,  康勇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提供的这种封装结构及封装方法，利用DBC+DBC，形成多层结构，同时优化功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。

公开(公告)号：CN107591377A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：CN201710816578.8

申请日：2017-09-12

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  黄志召 ,  李宇雄 ,  陈宇 ,  康勇

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提供的这种封装结构及封装方法，利用DBC+DBC，形成多层结构，同时优化功率回路结构，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，减小了开关过程中的过电压和振荡。

公开(公告)号：CN105914185B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201610454443.7

申请日：2016-06-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  黄志召 ,  李宇雄 ,  方建明 ,  陈宇 ,  康勇

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/4903

Abstract: 本发明公开了种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法,其封装结构包括直接覆铜陶瓷基板、碳化硅功率器件、PCB板、引线以及外壳,形成由碳化硅功率器件构成的半桥电路结构;本发明提供的这种封装结构及封装方法,有效地减少了功率回路的面积,在开关管换流过程中构成了电流流向相反的导体,利用互感抵消减小换流回路的寄生电感,有效地减小了开关过程中的过电压和振荡;驱动信号引线利用Kelvin连接方式,并且与功率引线垂直,起到有效地降低驱动回路和功率回路之间的耦合的作用,增强了驱动的稳定性;DBC板和PCB板全面焊接,增强了封装可靠性;功率端子和信号端子直接包含在PCB板中,减少额外端子带来的接触电阻和寄生电感,且兼具降低成本的效果。

公开(公告)号：CN105914185A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201610454443.7

申请日：2016-06-21

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈材 ,  黄志召 ,  李宇雄 ,  方建明 ,  陈宇 ,  康勇

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/4903 ,  H01L23/02 ,  H01L21/50 ,  H01L21/52 ,  H01L23/488 ,  H01L24/06 ,  H01L24/80 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/061

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法，其封装结构包括直接覆铜陶瓷基板、碳化硅功率器件、PCB板、引线以及外壳，形成由碳化硅功率器件构成的半桥电路结构；本发明提供的这种封装结构及封装方法，有效地减少了功率回路的面积，在开关管换流过程中构成了电流流向相反的导体，利用互感抵消减小换流回路的寄生电感，有效地减小了开关过程中的过电压和振荡；驱动信号引线利用Kelvin连接方式，并且与功率引线垂直，起到有效地降低驱动回路和功率回路之间的耦合的作用，增强了驱动的稳定性；DBC板和PCB板全面焊接，增强了封装可靠性；功率端子和信号端子直接包含在PCB板中，减少额外端子带来的接触电阻和寄生电感，且兼具降低成本的效果。