公开(公告)号：CN104536261A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410682790.6

申请日：2014-11-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 夏金松 ,  李一 ,  李晓平 ,  张永

IPC: G03F7/00 ,  G02B5/32

Abstract: 本发明公开了一种真彩色全息图案及其制备方法，属于微纳器件光刻加工领域，可应用于防伪或者包装行业。本发明通过光栅结构色的组合实现真彩色，即实现了CIE色域与光栅结构的一一对应。本发明方法为：(1)按照本发明中真彩色方案设计版图(2)清洗硅片，在硅片上旋涂电子抗蚀胶；(3)通过光刻工艺在电子抗蚀胶上形成结构；(4)采用刻蚀工艺在硅片上形成结构，去除电子抗蚀胶得到有结构的硅片；(5)采用纳米压印工艺将结构转移到聚合物薄膜上；(6)采用磁控溅射工艺在聚合物薄膜的结构上溅射高折射率材料；(7)在高折射率材料的结构上旋涂聚合物形成保护层。通过本方案增加了全息图案能表现出的色彩，使得产品更难以仿造。

公开(公告)号：CN104536261B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201410682790.6

申请日：2014-11-24

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 夏金松 ,  李一 ,  李晓平 ,  张永

IPC: G03F7/00 ,  G02B5/32

Abstract: 本发明公开了一种真彩色全息图案及其制备方法，属于微纳器件光刻加工领域，可应用于防伪或者包装行业。本发明通过光栅结构色的组合实现真彩色，即实现了CIE色域与光栅结构的一一对应。本发明方法为：(1)按照本发明中真彩色方案设计版图(2)清洗硅片，在硅片上旋涂电子抗蚀胶；(3)通过光刻工艺在电子抗蚀胶上形成结构；(4)采用刻蚀工艺在硅片上形成结构，去除电子抗蚀胶得到有结构的硅片；(5)采用纳米压印工艺将结构转移到聚合物薄膜上；(6)采用磁控溅射工艺在聚合物薄膜的结构上溅射高折射率材料；(7)在高折射率材料的结构上旋涂聚合物形成保护层。通过本方案增加了全息图案能表现出的色彩，使得产品更难以仿造。