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公开(公告)号：CN105741870B
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610054562.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00 , G11C14/00 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的非易失D触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻R、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2和第三反相器N3以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建D触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，适合于要求响应速度快和电源不稳定的领域，同时本发明将为研制基于忆阻的非易失D触发器电路提供实验参考。
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公开(公告)号：CN105741870A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610054562.3
申请日：2016-01-27
Applicant: 华中科技大学
IPC: G11C13/00 , G11C14/00 , H03K3/3562
CPC classification number: G11C13/0009 , G11C14/009 , H03K3/3562
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的非易失D触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻R、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2和第三反相器N3以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本发明所构建D触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，适合于要求响应速度快和电源不稳定的领域，同时本发明将为研制基于忆阻的非易失D触发器电路提供实验参考。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108256402A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611245186.2
申请日：2016-12-29
IPC: G06K9/00
Abstract: 本申请实施例提供一种模式识别电路，该模式识别电路包括：N个比较模块、突触矩阵，和选择模块；该N个比较模块中的第n个比较模块，用于在向该突触矩阵的第n行的M个突触模块中的每个突触模块输出低电平或高电平；该突触矩阵中的突触模块nm，用于根据该第n个比较模块的输出结果、该突触模块nm的预设电压值，和第二预设电压阈值，通过该突触模块nm的第一输出端或第二输出端输出电流至该选择模块；该选择模块，用于根据该突触矩阵的M列突触模块中每列突触模块的输出电流，输出M位模式识别结果。上述技术方案提供的模式识别电路结构简单可靠。
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公开(公告)号：CN105634446A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610054563.8
申请日：2016-01-27
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H03K3/356 , G11C13/0009 , G11C14/009
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的非易失SR触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻Rd、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2、第三反相器N3以及第四反相器N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了SR触发器的锁存以及置位和复位功能。本发明所构建SR触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，特别适合于电源不稳定的领域，同时本发明将为研制基于忆阻的非易失SR触发器电路提供实验参考。
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公开(公告)号：CN105634446B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201610054563.8
申请日：2016-01-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的非易失性SR触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻Rd、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2、第三反相器N3以及第四反相器N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了SR触发器的锁存以及置位和复位功能。本发明所构建SR触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，特别适合于电源不稳定的领域，同时本发明将为研制基于忆阻的非易失SR触发器电路提供实验参考。
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公开(公告)号：CN205384877U
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201620081626.4
申请日：2016-01-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于忆阻器的非易失D触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻R、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2和第三反相器N3以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了触发器的锁存以及触发功能。本实用新型所构建D触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，适合于要求响应速度快和电源不稳定的领域，同时本实用新型将为研制基于忆阻的非易失D触发器电路提供实验参考。
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公开(公告)号：CN205407762U
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201620079352.5
申请日：2016-01-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种基于忆阻器的非易失性SR触发器电路；包括忆阻器ME、定值电阻Rd、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第一反相器N1、第二反相器N2、第三反相器N3以及第四反相器N4，以及将忆阻器与定值电阻串联构成的分压电路读取模块。主要是利用了忆阻的非易失和阻值随流经本身的电荷大小改变的特性，实现了SR触发器的锁存以及置位和复位功能。本实用新型所构建SR触发器不仅具有传统触发器的功能，而且具备响应速度快以及非易失性的特点，特别适合于电源不稳定的领域，同时本实用新型将为研制基于忆阻的非易失SR触发器电路提供实验参考。
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