公开(公告)号：CN109065706A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810776305.X

申请日：2018-07-16

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 游龙 ,  洪正敏 ,  曾逸

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L43/08 ,  B82Y40/00 ,  H01L43/02

Abstract: 本发明公开了一种基于3D堆叠式多隧道结的磁性忆阻器，包括n层磁性层和(n‑1)层绝缘层，磁性层和绝缘层交替设置，其中，n为大于等于2的整数，一层绝缘层及其上下层磁性层构成一个隧道结，n层磁性层和(n‑1)层绝缘层构成(n‑1)个隧道结。本发明提出的基于多层磁性薄膜的多值存储器，可以满足存储技术中高密度、多值存储、小尺寸、轻薄化和低功耗的要求。本发明的结构是一种磁性层与绝缘层交替叠加的磁性薄膜结构，可以看成多个磁性隧道结串联而成，本发明采用的是自旋流的自旋力矩转移效应翻转，其特点是功耗更低，无需外加磁场，且大小可以通过电流控制。