公开(公告)号：CN103296174B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201310160891.2

申请日：2013-05-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  吕植成 ,  汪学方 ,  袁娇娇 ,  刘孝刚 ,  杨亮 ,  陈飞 ,  方靖 ,  曹斌

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。

公开(公告)号：CN107974696B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610985259.5

申请日：2016-10-25

Applicant: 华中科技大学 ,  武汉理工大学 ,  贵阳铝镁设计研究院有限公司

Inventor： 周凯波 ,  徐高峰 ,  郭四海 ,  曹斌 ,  邹育桃 ,  刘宏杰 ,  赵懿 ,  董云龙

IPC: C25C3/20

Abstract: 本发明公开了一种铝电解槽生产过程中阳极效应预报方法，具体为：从铝电解槽的生产数据中提取样本数据；使用特征权重对样本数据的特征向量进行加权处理；采用支持向量机SVM对样本数据进行训练，得到SVM效应预报模型以及模型参数；提取待测铝电解槽的特征向量并作加权处理；计算待测铝电解槽的特征向量离最优超平面的距离；若待测铝电解槽的特征向量离最优超平面的距离大于等于预定阈值，则将特征向量送入SVM效应预报模型，得到预报结果；否则，采用最邻近算法KNN对待测铝电解槽进行预报。本发明可实现不同电解槽在各种槽况条件下阳极效应的有效预报，有利于稳定电解槽运行，提高电流效率。

公开(公告)号：CN107974696A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201610985259.5

申请日：2016-10-25

Applicant: 华中科技大学 ,  武汉理工大学 ,  贵阳铝镁设计研究院有限公司

Inventor： 周凯波 ,  徐高峰 ,  郭四海 ,  曹斌 ,  邹育桃 ,  刘宏杰 ,  赵懿 ,  董云龙

IPC: C25C3/20

CPC classification number: C25C3/20

Abstract: 本发明公开了一种铝电解槽生产过程中阳极效应预报方法，具体为：从铝电解槽的生产数据中提取样本数据；使用特征权重对样本数据的特征向量进行加权处理；采用支持向量机SVM对样本数据进行训练，得到SVM效应预报模型以及模型参数；提取待测铝电解槽的特征向量并作加权处理；计算待测铝电解槽的特征向量离最优超平面的距离；若待测铝电解槽的特征向量离最优超平面的距离大于等于预定阈值，则将特征向量送入SVM效应预报模型，得到预报结果；否则，采用最邻近算法KNN对待测铝电解槽进行预报。本发明可实现不同电解槽在各种槽况条件下阳极效应的有效预报，有利于稳定电解槽运行，提高电流效率。

公开(公告)号：CN103296174A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201310160891.2

申请日：2013-05-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  吕植成 ,  汪学方 ,  袁娇娇 ,  刘孝刚 ,  杨亮 ,  陈飞 ,  方靖 ,  曹斌

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

Abstract: 本发明公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构、方法及产品，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本发明能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。

公开(公告)号：CN203351661U

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201320235749.5

申请日：2013-05-03

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 刘胜 ,  吕植成 ,  汪学方 ,  袁娇娇 ,  刘孝刚 ,  杨亮 ,  陈飞 ,  方靖 ,  曹斌

IPC: H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  H01L33/58 ,  H01L33/54 ,  H01L33/56

Abstract: 本实用新型公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本实用新型能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。