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发明公开
一种磁场增强等离子体射流的发生装置审中-实审

公开(公告)号：CN114845459A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210580533.6

申请日：2022-05-25

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 卢新培 , 晋绍珲 , 聂兰兰

IPC: H05H7/04 , H05H1/24

Abstract: 本发明公开了一种磁场增强等离子体射流的发生装置，属于低温等离子体领域，包括：等离子体射流发生单元，用于产生等离子体射流，并通过其气体输出管道输出等离子体射流；环形磁铁，环绕设置在气体输出管道的外侧，用于在气体输出管道内产生磁场，且磁场为等离子体射流提供的洛伦兹力的方向与等离子体射流的流动方向一致，以加快等离子体射流的流动速度。解决现有等离子体射流长度偏短、放电不均匀、活性成分浓度不高的问题，保证等离子体的弥散、空间分布的均匀性，增强等离子体中活性氧化物的浓度，提高这些产物在应用中与被处理物品的接触效率，进而提高整个装置的工作效率。

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