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公开(公告)号：CN103641477A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310659224.9
申请日：2013-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法。反铁电陶瓷材料由质量分数为k的四方反铁电相和质量分数为（1-k）的正交反铁电相复合而成；四方反铁电相为(Pb0.87-1.5xBa0.1La0.02Mx)(Zr0.95-ySnyTi0.05)O3，正交反铁电相为(Pb0.97La0.02)(Zr0.95-zSn0.05Tiz)O3，其中，M为Y、Eu和Yb中的一种，x=0～0.015，y=0.25～0.45，z=0.03～0.05，k=40%～60%。制备方法包括如下步骤：（1）制备四方相反铁电陶瓷粉体；（2）制备正交相反铁电陶瓷粉体；（3）将四方相反铁电陶瓷粉体和正交相反铁电陶瓷粉体按质量百分比复合得到反铁电储能陶瓷材料。该反铁电陶瓷材料在保持较高的饱和极化强度的同时，获得较大的铁电-反铁电相变场，从而使储能密度得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN103641477B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201310659224.9
申请日：2013-12-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: C04B35/493 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种反铁电储能陶瓷材料及其制备方法。反铁电陶瓷材料由质量分数为k的四方反铁电相和质量分数为（1-k）的正交反铁电相复合而成；四方反铁电相为(Pb0.87-1.5xBa0.1La0.02Mx)(Zr0.95-ySnyTi0.05)O3，正交反铁电相为(Pb0.97La0.02)(Zr0.95-zSn0.05Tiz)O3，其中，M为Y、Eu和Yb中的一种，x=0～0.015，y=0.25～0.45，z=0.03～0.05，k=40%～60%。制备方法包括如下步骤：（1）制备四方相反铁电陶瓷粉体；（2）制备正交相反铁电陶瓷粉体；（3）将四方相反铁电陶瓷粉体和正交相反铁电陶瓷粉体按质量百分比复合得到反铁电储能陶瓷材料。该反铁电陶瓷材料在保持较高的饱和极化强度的同时，获得较大的铁电-反铁电相变场，从而使储能密度得到大幅提高。
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公开(公告)号：CN103146101B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201310060312.7
申请日：2013-02-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法。在PVDF材料制备中加入热膨胀系数远大于PVDF的微球膨胀剂，当温度从室温升至PVDF的熔融温度时，微球急剧膨胀，微球的体积较室温情况下增大约10～20倍。此后对PVDF进行降温，从熔融温度降温至室温的过程中，PVDF逐渐凝固结晶。在这一过程中，微球急剧收缩，使PVDF在凝固过程中体内形成均匀的张应力，张应力可提高PVDF中β相的结晶度。利用该方法制备的PVDF，其β相结晶度明显提高，材料热释电性能优于普通方法制备的PVDF材料。本发明制备的PVDF有机铁电材料具有较高的β相结晶度、自发极化率和良好的热释电性能，符合铁电有机材料使用要求。
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公开(公告)号：CN103146101A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310060312.7
申请日：2013-02-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高结晶度聚偏氟乙烯的制备方法。在PVDF材料制备中加入热膨胀系数远大于PVDF的微球膨胀剂，当温度从室温升至PVDF的熔融温度时，微球急剧膨胀，微球的体积较室温情况下增大约10～20倍。此后对PVDF进行降温，从熔融温度降温至室温的过程中，PVDF逐渐凝固结晶。在这一过程中，微球急剧收缩，使PVDF在凝固过程中体内形成均匀的张应力，张应力可提高PVDF中β相的结晶度。利用该方法制备的PVDF，其β相结晶度明显提高，材料热释电性能优于普通方法制备的PVDF材料。本发明制备的PVDF有机铁电材料具有较高的β相结晶度、自发极化率和良好的热释电性能，符合铁电有机材料使用要求。
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