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公开(公告)号：CN114005933B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202111229192.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H10N70/20
Abstract: 本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置，属于微电子技术领域，在制备过程中，对OTS功能层执行升温工艺，使OTS功能层温度为80℃～120℃，持续时间为50s～200s，以此方式，对OTS功能层加速弛豫，使其提前进入更稳定的非晶态。优选的，使OTS功能层温度为90℃～110℃，持续时间为80s～180s，更优选的，使OTS功能层温度为95℃～105℃，持续时间为85s～150s。本发明通过设计新型的工艺方法，利用玻璃弛豫来降低OTS阈值电压漂移，解决现有技术中OTS阈值漂移较大从而抑制了OTS选通管大量应用的问题。
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公开(公告)号：CN110718628B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201910829462.7
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述相变合金材料为由Cu，Sb元素组成的化学通式为CuxSb100‑x的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Cu后得到；其中，x为原子个数百分比，且0＜x≤40。本发明的相变合金材料，其制备方法简便，制备得到的Cu‑Sb相变合金材料具有良好的高热稳定性和低相变密度变化，可作为稳定的相变存储材料应用于相变存储器中，确保了相变存储器的应用稳定性和数据存储的准确性，并使得相变存储器具有较长的使用寿命，降低了相变存储器的制备成本和应用成本，具有较好的应用前景和推广价值。
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公开(公告)号：CN110718628A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910829462.7
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了相变合金材料、相变存储器及相变合金材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述相变合金材料为由Cu，Sb元素组成的化学通式为CuxSb100-x的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Cu后得到；其中，x为原子个数百分比，且0＜x≤40。本发明的相变合金材料，其制备方法简便，制备得到的Cu-Sb相变合金材料具有良好的高热稳定性和低相变密度变化，可作为稳定的相变存储材料应用于相变存储器中，确保了相变存储器的应用稳定性和数据存储的准确性，并使得相变存储器具有较长的使用寿命，降低了相变存储器的制备成本和应用成本，具有较好的应用前景和推广价值。
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公开(公告)号：CN110931635B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201911033437.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层；在晶化的过程中，第一相变层具有常规的正密度变化，而第二相变层具有反常的负密度变化，因此它在晶化过程中的密度反常减小、体积增大，可用来抵消第一相变层在晶化过程中的体积减小现象；将常规相变材料与负密度变化的材料交替堆叠形成的超晶格薄膜可以减小相变存储材料在相变过程中的体积变化，进而减少相变存储材料在循环擦写过程中由于体积反复增大和减小造成的空洞；将该低密度甚至零密度变化的超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增加相变存储器件循环擦写的稳定性，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN114005933A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111229192.X
申请日：2021-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种低阈值电压漂移的双向阈值切换选通管单元制备方法以及产品装置，属于微电子技术领域，在制备过程中，对OTS功能层执行升温工艺，使OTS功能层温度为80℃～120℃，持续时间为50s～200s，以此方式，对OTS功能层加速弛豫，使其提前进入更稳定的非晶态。优选的，使OTS功能层温度为90℃～110℃，持续时间为80s～180s，更优选的，使OTS功能层温度为95℃～105℃，持续时间为85s～150s。本发明通过设计新型的工艺方法，利用玻璃弛豫来降低OTS阈值电压漂移，解决现有技术中OTS阈值漂移较大从而抑制了OTS选通管大量应用的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729401B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910828813.2
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了Ga‑Sb‑O相变材料及其应用与制备方法，属于相变存储材料领域，所述Ga‑Sb‑O相变材料为由Ga，Sb，O元素组成的化学通式为GaxSb100‑x‑yOy的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Ga、O后得到；其中，x，y分别为原子个数百分比，且10≤x≤40，5≤y≤30。本发明的Ga‑Sb‑O相变材料，其制备方法简便，制备得到的Ga‑Sb‑O相变材料具有良好的热稳定性和低相变密度变化，可作为稳定的相变存储材料应用于相变存储器中，确保了相变存储器的应用稳定性和数据存储的准确性，延长了相变存储器的使用寿命，而且Ga‑Sb‑O相变材料在Set过程和Reset过程中的总功耗极低，并能实现非晶态和晶态的两相共存，极大地降低了相变存储器的使用功耗，提升了相变存储器的使用经济性。
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公开(公告)号：CN110931635A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911033437.4
申请日：2019-10-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种低密度变化的超晶格相变薄膜、相变存储器及制备方法，该超晶格相变薄膜包括交替堆叠形成周期性结构的第一相变层和第二相变层；在晶化的过程中，第一相变层具有常规的正密度变化，而第二相变层具有反常的负密度变化，因此它在晶化过程中的密度反常减小、体积增大，可用来抵消第一相变层在晶化过程中的体积减小现象；将常规相变材料与负密度变化的材料交替堆叠形成的超晶格薄膜可以减小相变存储材料在相变过程中的体积变化，进而减少相变存储材料在循环擦写过程中由于体积反复增大和减小造成的空洞；将该低密度甚至零密度变化的超晶格相变薄膜应用于相变存储器中，可以显著增加相变存储器件循环擦写的稳定性，提高器件的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110859918A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201911253483.5
申请日：2019-12-09
Applicant: 华中科技大学同济医学院附属协和医院
Abstract: 本发明公开了一种治疗肾阳虚的药食同源处方，包括人参、黄精、肉苁蓉、黄芪、玉竹、酸枣仁及枸杞子，并按照相应的重量组份进行配比，通过本发明提出的制作方法制成多种剂型，配合服用，本发明选用的原材料价格低廉，对于药材的生长年份要求不高，因此无论是生产成本还是购买成本与现有药剂相比大幅度降低，具有良好的保健效果和用药效果，是很好的药剂替代品，剂型多样，不仅便于用户携带，还针对口感等方面，降低中药中苦、涩的味觉冲击，降低人们服药过程中的痛苦不适，本发明广泛适用于保健行业及医疗行业。
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公开(公告)号：CN110729400B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201910828785.4
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了Ti‑Ga‑Sb相变材料、相变存储器及Ti‑Ga‑Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述Ti‑Ga‑Sb相变材料为Ti，Sb，Ga元素组成的化学通式为TixGaySb100‑x‑y的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Ti、Ga后得到；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y＜60。本发明的Ti‑Ga‑Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的Ti‑Ga‑Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有较小的相变密度差异，并能在保证相变材料热稳定性的同时大幅提升相变材料的结晶效率，保证相变材料信息数据存储的稳定性和准确性，提升相变存储器信息存储的效率，在延长相变存储器使用寿命的同时，大大提升了相变存储器的功能性。
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公开(公告)号：CN110729400A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910828785.4
申请日：2019-09-03
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了Ti-Ga-Sb相变材料、相变存储器及Ti-Ga-Sb相变材料的制备方法，属于相变存储材料领域，所述Ti-Ga-Sb相变材料为Ti，Sb，Ga元素组成的化学通式为TixGaySb100-x-y的材料，其通过将Sb作为基体材料，并向基体材料中掺杂Ti、Ga后得到；其中，x，y分别为原子个数百分比，且0＜x＜50，0＜y＜50，0＜x+y＜60。本发明的Ti-Ga-Sb相变材料，其制备方法简便，制备得到的Ti-Ga-Sb相变材料相较于传统的相变材料而言，具有较小的相变密度差异，并能在保证相变材料热稳定性的同时大幅提升相变材料的结晶效率，保证相变材料信息数据存储的稳定性和准确性，提升相变存储器信息存储的效率，在延长相变存储器使用寿命的同时，大大提升了相变存储器的功能性。
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