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公开(公告)号:CN116462795A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310362545.6
申请日:2023-04-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C08F220/36 , G03F7/00 , C08F220/18 , C08F220/20 , G03F7/038 , G03F7/004
Abstract: 本发明属于微电子加工材料技术领域,更具体地,涉及一种成膜树脂、化学增幅型紫外正性光刻胶及其使用方法。本发明提出的化学增幅型紫外正性光刻胶成膜树脂包括成膜树脂、对苯磺酸苄酯类化合物光产酸剂和有机溶剂。该光刻胶含有双重光响应单元,大大加快链式反应进程,双重光敏单元在光辐照下产生成倍的酸,大量的酸催化聚合物分子链中的酸敏单元发生反应,脱去保护基团,从而溶解于碱性显影液中,曝光部分与非曝光部分产生溶解反差,催化完成后重新释放出酸,而释放出的酸又能继续催化聚合物发生变化,通过链式反应来降低体系曝光所需能量,从而大幅度提高了光刻胶的光敏感度。
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公开(公告)号:CN116462795B
公开(公告)日:2024-04-02
申请号:CN202310362545.6
申请日:2023-04-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: C08F220/36 , G03F7/00 , C08F220/18 , C08F220/20 , G03F7/038 , G03F7/004
Abstract: 本发明属于微电子加工材料技术领域,更具体地,涉及一种成膜树脂、化学增幅型紫外正性光刻胶及其使用方法。本发明提出的化学增幅型紫外正性光刻胶成膜树脂包括成膜树脂、对苯磺酸苄酯类化合物光产酸剂和有机溶剂。该光刻胶含有双重光响应单元,大大加快链式反应进程,双重光敏单元在光辐照下产生成倍的酸,大量的酸催化聚合物分子链中的酸敏单元发生反应,脱去保护基团,从而溶解于碱性显影液中,曝光部分与非曝光部分产生溶解反差,催化完成后重新释放出酸,而释放出的酸又能继续催化聚合物发生变化,通过链式反应来降低体系曝光所需能量,从而大幅度提高了光刻胶的光敏感度。
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