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公开(公告)号：CN104810434A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510069811.1
申请日：2015-02-10
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/325 , H01L33/007 , H01L33/40 , H01L2933/0008 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明公开了一种白光发光二极管，其特征在于，包括从下至上依次层叠接触的n型氮化镓薄膜、锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列和正电极，其中，所述n型氮化镓薄膜与所述锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列接触而形成异质结，以作为白光发光层，所述正电极与所述锑掺杂p型氧化锌纳米线阵列接触作为工作正电极，所述n型氮化镓薄膜上设置有负电极，该负电极与所述n型氮化镓薄膜接触以作为工作负电极。本发明还公开了其制备方法。该白光发光二极管相比传统白光发光二极管器件，工艺简单，具有低色温，无紫外线，安全性高，适合生活照明，对于推动我国白光发光二极管的家居照明应用，具有重要作用。
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公开(公告)号：CN103579415B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310499193.5
申请日：2013-10-22
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短波长光电器件领域有广泛的运用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579415A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310499193.5
申请日：2013-10-22
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1856 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种基于氧化锌纳米线阵列的紫外光电探测器，属于光电子器件领域。本发明利用化学气相沉积技术，通过调节双温区管式炉装中真空压力等实验参数，在氮化镓衬底上实现氧化锌纳米线阵列的均匀可控生长，然后利用透明导电玻璃直接贴压法，得到对365nm紫外光具有毫秒量级的快速响应和恢复时间的紫外光电探测器。本方法工艺简单，材料成本低廉，在快速紫外光电传感器和短波长光电器件领域有广泛的运用前景。
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公开(公告)号：CN103594248A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310588867.9
申请日：2013-11-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01G9/20
Abstract: 本发明公开了一种Bi2S3量子点敏化TiO2太阳能电池的制备方法，该方法具体步骤如下：（1）刀刮法在FTO玻璃上刮涂Ti02浆料；（2）退火得到Ti02多孔薄膜；（3）在Ti02多孔薄膜上，用连续离子层反应与吸收制备Bi2S3量子点，形成电极；（4）在所述电极中部滴上电解液，然后利用溶液扩散作用让电解液扩散到整个电极工作部分；（5）将表面镀了铂的FTO玻璃扣在工作电极上，镀铂金的一面朝向工作电极，用夹子将工作电极与铂金对电极夹住，即可制成太阳能电池。本发明公开了制备Bi2S3量子点的制备方法以及上述Bi2S3量子点作为敏化材料应用于量子点敏化太阳能电池。本发明的Bi2S3量子点敏化TiO2太阳能电池采用无毒的Bi2S3量子点作为敏化剂来制备量子点敏化太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101962806A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN201010298847.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种柔性冷阴极的制备方法，通过在碳布上热蒸发生长氧化钨纳米线，制备得到同时具有良好柔性的高电导和导热性的场发射阴极材料，其可以承受较高的电流密度，在柔性场发射平板显示器和柔性微纳电子学等领域中有广泛的运用前景。
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公开(公告)号：CN103746056A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201310740552.1
申请日：2013-12-28
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L33/305 , C23C14/35 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开一种镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管及其制备方法。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列的波长可调节发光二极管包括p型导电基片，位于p型导电基片上的镓掺杂氧化锌纳米线阵列和底电极，以及位于镓掺杂氧化锌纳米线阵列上的顶电极。该镓掺杂氧化锌纳米线阵列波长可调节发光二极管的制备方法包括：提供一p型导电基片；在p型导电基片上通过控制镓掺杂氧化锌纳米线阵列的镓掺杂量，进行镓掺杂氧化锌纳米线阵列生长；在生长的镓掺杂氧化锌纳米线阵列上旋涂一层阻挡层；刻蚀去除包裹在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部的阻挡层；在镓掺杂氧化锌纳米线阵列顶部沉积顶电极；去除部分区域的镓掺杂氧化锌纳米线阵列，露出p型导电基片，在露出的p型导电基片上制作底电极。
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公开(公告)号：CN101962806B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010298847.4
申请日：2010-09-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供一种柔性冷阴极的制备方法，通过在碳布上热蒸发生长氧化钨纳米线，制备得到同时具有良好柔性的高电导和导热性的场发射阴极材料，其可以承受较高的电流密度，在柔性场发射平板显示器和柔性微纳电子学等领域中有广泛的运用前景。
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