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公开(公告)号：CN109580725B
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201811504811.X
申请日：2018-12-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备，该气体传感器包括被图形化为相连的导电沟道与天线结构两个部分的二维过渡金属硫化物TMDCs薄膜，在导电沟道表面覆盖有钝化层；天线结构用于吸附待测气体作为气体敏感层；当待测气体分子吸附于天线结构的表面并发生电荷转移后，天线结构内的载流子浓度发生变化，形成浓度梯度，引发载流子的扩散，使得导电沟道内的载流子浓度变化，最终导致导电沟道电阻的改变，从而实现该气体传感器对待测气体的传感。本发明通过将气体敏感层与导电沟道在传感器结构上区分为两个部分，不仅有利于增加传感器的稳定性，而且可以利用天线结构的增益效应提高气体传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109682863B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201811503769.X
申请日：2018-12-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及制备方法，该气体传感器以二维过渡金属硫化物TMDCs作为气体敏感层，绝缘体上半导体薄膜SFOI作为导电沟道；TMDCs与SFOI接触后，由于彼此间费米能级差异，电子从高费米能级一侧转移至低费米能级一侧，从而在异质结两侧产生空间电荷区，形成p‑n结；当待测气体分子吸附于TMDCs表面并与TMDCs之间发生电荷转移后，TMDCs内的载流子浓度发生变化，引起p‑n结势垒改变，导致SFOI中的空间电荷区宽度改变，最终导电沟道电阻改变从而对待测气体进行传感。本发明将气体敏感层同导电沟道分开，利用二维TMDCs对吸附气体分子的高灵敏度与成熟的传统半导体器件工艺，有助于实现高灵敏度，高可靠性，可直接集成在半导体芯片上的气体探测器。
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公开(公告)号：CN109580725A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811504811.X
申请日：2018-12-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本发明公开了一种基于天线结构的二维过渡金属硫化物气体传感器及制备，该气体传感器包括被图形化为相连的导电沟道与天线结构两个部分的二维过渡金属硫化物TMDCs薄膜，在导电沟道表面覆盖有钝化层；天线结构用于吸附待测气体作为气体敏感层；当待测气体分子吸附于天线结构的表面并发生电荷转移后，天线结构内的载流子浓度发生变化，形成浓度梯度，引发载流子的扩散，使得导电沟道内的载流子浓度变化，最终导致导电沟道电阻的改变，从而实现该气体传感器对待测气体的传感。本发明通过将气体敏感层与导电沟道在传感器结构上区分为两个部分，不仅有利于增加传感器的稳定性，而且可以利用天线结构的增益效应提高气体传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109682863A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811503769.X
申请日：2018-12-10
Applicant: 华中科技大学 , 深圳华中科技大学研究院
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明提供一种基于TMDCs－SFOI异质结的气体传感器及制备方法，该气体传感器是以二维过渡金属硫化物TMDCs作为气体敏感层，绝缘体上半导体薄膜SFOI作为导电沟道；TMDCs与SFOI接触后，由于彼此间费米能级差异，电子从高费米能级一侧转移至低费米能级一侧，从而在异质结两侧产生空间电荷区，形成p-n结；当待测气体分子吸附于TMDCs表面并与TMDCs之间发生电荷转移后，TMDCs内的载流子浓度发生变化，引起p-n结势垒改变，导致SFOI中的空间电荷区宽度改变，最终导电沟道电阻改变从而对待测气体进行传感。本发明将气体敏感层同导电沟道分开，同时利用二维TMDCs对吸附气体分子的高灵敏度，与成熟的传统半导体器件工艺，有助于实现高灵敏度，高可靠性，可直接集成在半导体芯片上的气体探测器。
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公开(公告)号：CN118330525A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410491847.8
申请日：2024-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种大尺寸物体交流磁化率的测量装置及其测量方法，其中，测量装置包括：磁场产生机构，包括几何中心重合且半径不同的两对亥姆霍兹线圈，两对亥姆霍兹线圈通入频率间隔变化的反向正弦电流，用于产生覆盖样品所在区域的均匀磁场和远离样品的磁场幅值零点；相位参考机构，用于提供并测量与均匀磁场同相位的参考相位；控制机构，用于根据参考相位以及磁场测量机构测得的线圈残余背景磁场和叠加场的幅值和相位，计算样品在不同正弦电流频率处的磁化率的相位和模值。本申请能够对厘米级以上的大尺寸物体进行交流磁化率测量，能够提供交流磁化率测量所需的均匀磁场，同时能够降低交流磁矩不均匀分布带来的测量误差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116482591B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202310503220.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于物体剩磁测量和快速退磁的装置，包括：平面单摆运动机构，包括用多根长度相同且可调的摆线构成的锥形结构，在首次进行剩磁测量前，确定磁力仪处于最佳测量信噪比时的摆线长度；磁场发生机构，用于在样品剩磁不满足指标要求时，产生样品退磁所需要的磁场；磁场测量机构，包括高斯计和磁力仪，用于实时测量施加给待测样品的退磁磁场，同时在退磁操作开始前和结束后，实时测量其最佳测量信噪比时样品剩磁所产生的磁场，从而计算样品剩磁；位置姿态调节机构，用于调节退磁线圈的方向。本发明将剩磁测量和退磁集成在同一套装置内，集成度高，同时还能有效提高剩磁测量准确度，具有操作方便、退磁所需时间短的优点。
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公开(公告)号：CN116482591A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310503220.5
申请日：2023-04-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种用于物体剩磁测量和快速退磁的装置，包括：平面单摆运动机构，包括用多根长度相同且可调的摆线构成的锥形结构，在首次进行剩磁测量前，确定磁力仪处于最佳测量信噪比时的摆线长度；磁场发生机构，用于在样品剩磁不满足指标要求时，产生样品退磁所需要的磁场；磁场测量机构，包括高斯计和磁力仪，用于实时测量施加给待测样品的退磁磁场，同时在退磁操作开始前和结束后，实时测量其最佳测量信噪比时样品剩磁所产生的磁场，从而计算样品剩磁；位置姿态调节机构，用于调节退磁线圈的方向。本发明将剩磁测量和退磁集成在同一套装置内，集成度高，同时还能有效提高剩磁测量准确度，具有操作方便、退磁所需时间短的优点。
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公开(公告)号：CN115718273B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202211447737.9
申请日：2022-11-18
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R33/16
Abstract: 本发明公开了一种基于磁感应强度测量物体磁化率的装置及其测量方法，该装置包括：磁场机构，包括磁场调制线圈、背景磁场补偿线圈和梯度磁场补偿线圈，其中，磁场调制线圈用于给待测物体施加磁场，使其产生感应磁矩；背景磁场补偿线圈用于降低测量点的背景磁场和背景噪声，使磁场测量机构工作在量程以内并提高测量信噪比；梯度磁场补偿线圈用于补偿磁力计测量点处的梯度磁场，使磁场测量点的背景磁场梯度降低。位移机构，用于改变线圈的间距，并用于调节磁力计的空间位置，将其移动到背景磁场为“零”的区域，从而实现感应磁场的测量，进而实现待测物体磁化率的测量。本发明具有测量简单方便、测量过程快、对物体的磁化影响小的特点。
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公开(公告)号：CN118330525B
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410491847.8
申请日：2024-04-23
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种大尺寸物体交流磁化率的测量装置及其测量方法，其中，测量装置包括：磁场产生机构，包括几何中心重合且半径不同的两对亥姆霍兹线圈，两对亥姆霍兹线圈通入频率间隔变化的反向正弦电流，用于产生覆盖样品所在区域的均匀磁场和远离样品的磁场幅值零点；相位参考机构，用于提供并测量与均匀磁场同相位的参考相位；控制机构，用于根据参考相位以及磁场测量机构测得的线圈残余背景磁场和叠加场的幅值和相位，计算样品在不同正弦电流频率处的磁化率的相位和模值。本申请能够对厘米级以上的大尺寸物体进行交流磁化率测量，能够提供交流磁化率测量所需的均匀磁场，同时能够降低交流磁矩不均匀分布带来的测量误差。
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公开(公告)号：CN118777955A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202411098731.4
申请日：2024-08-12
Applicant: 华中科技大学 , 云南贵金属实验室有限公司
IPC: G01R33/16
Abstract: 本申请公开了一种基于变匝数线圈和原子磁力仪的磁化率测量装置及方法，装置包括原子磁力仪、磁场发生模块和磁场补偿模块；磁场发生模块包括两对半径不同且同轴设置的线圈C1和线圈C2；线圈C1和线圈C2在梯度零点处产生的磁场等大且反向；原子磁力仪设置在梯度零点处，用于测量低场磁化率；磁场补偿模块包括一对匝数可调整的线圈C3，用于通过改变线圈C3的匝数来实现磁场补偿。本申请通过精确调节线圈的匝数对原子磁力仪处的线圈残余磁场及磁场梯度进行精确补偿，能够使原子磁力仪工作在量程范围内以及梯度容限内，同时利用高精度变匝数线圈精确调节补偿磁场，使磁化率测量精度得到提高，从而能够对大尺寸样品的低场磁化率进行测量。
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