公开(公告)号：CN109060900B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201810906071.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 胡敬平 ,  陈思静 ,  帕乌刘斯·波贝丁斯卡斯 ,  约翰·福德 ,  肯·哈嫩 ,  武龙胜 ,  侯慧杰 ,  刘冰川 ,  杨家宽

IPC: G01N27/26 ,  G01N21/35 ,  C23C16/27

Abstract: 本发明属于红外光谱技术领域，更具体地，涉及一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备和应用。其以衰减全反射晶片为基底，在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层，所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3～1Ω·cm；红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面，该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻，所述红外光在该内表面上发生折射和反射，折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层，且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。该晶片实现良好导电作用的同时又使得红外信号检测成为可能，可实现待测分子在BDD电极表面电化学过程中的原位电化学检测，在电化学、原位红外检测领域具有广阔的应用前景。

公开(公告)号：CN109060900A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201810906071.6

申请日：2018-08-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 胡敬平 ,  陈思静 ,  帕乌刘斯·波贝丁斯卡斯 ,  约翰·福德 ,  肯·哈嫩 ,  武龙胜 ,  侯慧杰 ,  刘冰川 ,  杨家宽

IPC: G01N27/26 ,  G01N21/35 ,  C23C16/27

CPC classification number: G01N27/26 ,  C23C16/278 ,  G01N21/35

Abstract: 本发明属于红外光谱技术领域，更具体地，涉及一种掺硼金刚石修饰的衰减全反射晶片、其制备和应用。其以衰减全反射晶片为基底，在所述基底的表面设置有掺硼金刚石薄膜层，所述掺硼金刚石薄膜层的电阻率为10‑3～1Ω·cm；红外光以一定角度入射至所述衰减全反射晶片内表面，该内表面与所述掺硼金刚石薄膜层相邻，所述红外光在该内表面上发生折射和反射，折射后的红外光进入所述掺硼金刚石薄膜层，且在所述掺硼金刚石薄膜层内发生全发射。该晶片实现良好导电作用的同时又使得红外信号检测成为可能，可实现待测分子在BDD电极表面电化学过程中的原位电化学检测，在电化学、原位红外检测领域具有广阔的应用前景。