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公开(公告)号：CN103107217B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电池及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103107217A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310012874.4
申请日：2013-01-14
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种薄膜太阳能电及其制作方法，属于太阳能利用技术领域，解决现有薄膜太阳能电池的陷光效率低或成本高的问题。本发明薄膜太阳能电池片，由衬底层、光吸收层和覆盖层构成，覆盖层上表面或衬底层下表面、或者覆盖层上表面和衬底层下表面随机分布多个纳米孔或多个纳米柱。本发明第一种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、多孔氧化铝膜加载、一次刻蚀、二次刻蚀、去除掩膜步骤；本发明第二种制作方法包括多孔氧化铝膜制作、防粘处理、纳米压印、刻蚀步骤；本发明第三种制作方法包括镀铝、硅基多孔氧化铝膜制作、硅刻蚀、去除掩膜、防粘处理、纳米压印、薄膜太阳能电池片刻蚀步骤。本发明结构简单、效果显著、制作成本低、制作效率高，适合工业化量产。
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公开(公告)号：CN101345585B
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN200810054192.9
申请日：2008-08-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 一种嵌套马赫-曾德波导结构的光差分四相移键控调制器，包括有：预编码器、激光器、分离器和耦合器，还设置有由两个马赫-曾德型干涉仪结构调制器组成的嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器；所述的预编码器的输出分别连接构成嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器的两个马赫-曾德型干涉仪结构调制器；激光器、分离器、嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器以及耦合器依次连接。嵌套式马赫-曾德型干涉仪结构调制器是由第二马赫-曾德型干涉仪结构调制器嵌套在第一马赫-曾德型干涉仪结构调制器的内部构成。本发明使器件的长度明显缩短，降低了超长结构器件一系列工艺制作的难度，能显著提高成品率；降低了光的分叉损耗，提高了产品的性能；能显著降低生产成本。
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公开(公告)号：CN102910579B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210364144.6
申请日：2012-09-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，包括：（a）软、硬模板的准备步骤；（b）对半导体基片清洗干燥处理后在其表面上涂覆底胶并执行固化处理，接着在该底胶层上镀上硬掩膜层且底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）在硬掩膜层上涂覆光刻胶并经烘烤处理，然后利用软模板在压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）通过多次干法刻蚀处理，分别去除压印胶层上的残胶、刻蚀硬掩膜层和底胶层，将所需的纳米图形依次向下转移；（e）利用底胶层上的图形作为掩膜在半导体基片上形成最终的纳米图形产品。通过本发明，可以显著提高底胶掩膜的深宽比并相应获得高深宽比的纳米图形，同时进一步提高所获得纳米图形的图像精细程度。
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公开(公告)号：CN102910579A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201210364144.6
申请日：2012-09-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可提高图形深宽比的纳米压印方法，包括：（a）软、硬模板的准备步骤；（b）对半导体基片清洗干燥处理后在其表面上涂覆底胶并执行固化处理，接着在该底胶层上镀上硬掩膜层且底胶层与硬掩膜层之间的刻蚀选择比为10以上；（c）在硬掩膜层上涂覆光刻胶并经烘烤处理，然后利用软模板在压印胶层上形成所需的纳米图形；（d）通过多次干法刻蚀处理，分别去除压印胶层上的残胶、刻蚀硬掩膜层和底胶层，将所需的纳米图形依次向下转移；（e）利用底胶层上的图形作为掩膜在半导体基片上形成最终的纳米图形产品。通过本发明，可以显著提高底胶掩膜的深宽比并相应获得高深宽比的纳米图形，同时进一步提高所获得纳米图形的图像精细程度。
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公开(公告)号：CN101345585A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200810054192.9
申请日：2008-08-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 华中科技大学
Abstract: 一种嵌套马赫－曾德波导结构的光差分四相移键控调制器，包括有：预编码器、激光器、分离器和耦合器，还设置有由两个马赫－曾德型干涉仪结构调制器组成的嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器；所述的预编码器的输出分别连接构成嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器的两个马赫－曾德型干涉仪结构调制器；激光器、分离器、嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器以及耦合器依次连接。嵌套式马赫－曾德型干涉仪结构调制器是由第二马赫－曾德型干涉仪结构调制器嵌套在第一马赫－曾德型干涉仪结构调制器的内部构成。本发明使器件的长度明显缩短，降低了超长结构器件一系列工艺制作的难度，能显著提高成品率；降低了光的分叉损耗，提高了产品的性能；能显著降低生产成本。
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