公开(公告)号：CN107180897B

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201710471122.2

申请日：2017-06-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐智谋 ,  李泽平 ,  江睿 ,  屈小鹏

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模；将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破，将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能，对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。

公开(公告)号：CN107275204B

公开(公告)日：2019-06-28

申请号：CN201710471345.9

申请日：2017-06-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐智谋 ,  江睿 ,  李泽平 ,  屈小鹏 ,  游旺

IPC: H01L21/308 ,  H01L31/0236 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法。通过人工方法生成纳米孔阵列阳极氧化铝膜；利用铝箔和平整基底做支撑，将制备好的多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝模板，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的多孔阳极氧化铝膜做模板，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。

公开(公告)号：CN107180897A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710471122.2

申请日：2017-06-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐智谋 ,  李泽平 ,  江睿 ,  屈小鹏

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/20

CPC classification number: H01L33/005 ,  H01L33/20

Abstract: 本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于纳米筛掩模的纳米光电器件制备方法。通过人工生成的纳米孔阵列膜(支撑层)制备获得纳米筛掩模；将制备好的纳米筛掩模转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除纳米筛掩模，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的纳米筛做掩模，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。该技术的发现与突破，将使得大面积、低成本制备半导体表面有序纳米结构阵列成为可能，对推动纳米结构半导体器件的应用意义重大。

公开(公告)号：CN107275204A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710471345.9

申请日：2017-06-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 徐智谋 ,  江睿 ,  李泽平 ,  屈小鹏 ,  游旺

IPC: H01L21/308 ,  H01L31/0236 ,  B82Y40/00

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/02363 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086

Abstract: 本发明主要属于纳米光电器件制备领域，具体涉及一种基于多孔阳极氧化铝模板的纳米光电器件制备方法。通过人工方法生成纳米孔阵列阳极氧化铝膜；利用铝箔和平整基底做支撑，将制备好的多孔阳极氧化铝模板转移到光电器件上得到样片；采用沉积或刻蚀技术对样片进行沉积或刻蚀；利用物理或者化学方法去除多孔阳极氧化铝模板，在光电器件上得到纳米阵列结构。本发明通过人工低成本获得的多孔阳极氧化铝膜做模板，采用纳米加工技术，制备大面积的均匀纳米孔、纳米点、纳米柱和纳米圆台阵列，从而获得纳米结构光电器件。