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发明公开
一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统审中-实审

公开(公告)号：CN115896721A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211414362.6

申请日：2022-11-11

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 方海生 , 李婕 , 李朝中 , 尹素萍

IPC: C23C14/35 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/14

Abstract: 本发明属于磁控溅射镀膜相关技术领域，其公开了一种用于调控高熵合金元素比例的磁控溅射方法及系统，方法包括：对磁控溅射单元的多个靶台电源分别进行调制，根据溅射量需求将靶台电源的直流电或脉冲交流电调制为不同频率、幅值或占空比的方波交流电，所述方波交流电的频率大于或等于kHz级，进而实现靶台在高电平时进行溅射，在低电平时停止溅射，实现不同靶台有效溅射时间的控制，进而控制不同高熵合金元素的溅射比例。本申请在高频交替溅射下实现高熵合金元素比例的调节，且避免了分层现象的产生。

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