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发明公开
低介电常数材料薄膜及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117417561A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311385163.1

申请日：2023-10-23

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 , 曹猛 , 杨帆 , 任浩楠 , 宋吉升

IPC: C08J5/18 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C08G83/00 , C08L87/00

Abstract: 本申请涉及一种低介电常数材料及其制备方法，所述低介电常数材料薄膜的制备方法，包括以下步骤：采用原子层沉积技术在基底表面沉积金属氧化物薄膜；以及将沉积有金属氧化物薄膜的基底和配体溶液混合，进行溶剂热反应。本申请提供的低介电常数材料薄膜的制备方法能够快速制备不同MOF的低介电常数材料薄膜，且工艺简单、操作方便。由该方法制备的低介电常数材料薄膜具有超低的介电常数和良好的机械性能，很有潜力作为集成电路中互连线之间的介电层。

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