公开(公告)号：CN115894778B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202211549422.5

申请日：2022-12-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 彭海炎 ,  张玥 ,  孟凡岳 ,  解孝林 ,  周兴平

IPC: C08F220/18 ,  C08F220/14 ,  C08F220/56 ,  C08F220/54 ,  C08F220/06 ,  C08F222/14 ,  C08F222/20 ,  C08F2/48 ,  C08F2/44 ,  C08K5/315 ,  C08K3/16 ,  C08K5/45 ,  C08K5/1545

Abstract: 本发明公开了用于三重图像存储的全息高分子复合材料，所述复合材料由上转换纳米粒子、液晶及光聚合单体，通过相干激光聚合诱导相分离制得；所述复合材料具体包括3wt％～15wt％的光致变色化合物、2wt％～15wt％的上转换纳米粒子、9wt％～45wt％的液晶、30wt％～74wt％的光聚合单体；还包括占总重量0.1～5％的光引发剂；在所述复合材料同一空间位置，不仅能够在日光下呈现高亮度的全息图像及变色图像，而且能够在点状近红外激光光源激发下呈现上转换发光图像；所述上转换发光图像的面积是所述点状近红外激光光斑面积的2～225倍。本发明还公开了对应的制备方法及应用。本发明可用于高端防伪领域，解决了现有技术的单一图像

公开(公告)号：CN115894778A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211549422.5

申请日：2022-12-05

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 彭海炎 ,  张玥 ,  孟凡岳 ,  解孝林 ,  周兴平

IPC: C08F220/18 ,  C08F220/14 ,  C08F220/56 ,  C08F220/54 ,  C08F220/06 ,  C08F222/14 ,  C08F222/20 ,  C08F2/48 ,  C08F2/44 ,  C08K5/315 ,  C08K3/16 ,  C08K5/45 ,  C08K5/1545

Abstract: 本发明公开了用于三重图像存储的全息高分子复合材料，所述复合材料由上转换纳米粒子、液晶及光聚合单体，通过相干激光聚合诱导相分离制得；所述复合材料具体包括3wt％～15wt％的光致变色化合物、2wt％～15wt％的上转换纳米粒子、9wt％～45wt％的液晶、30wt％～74wt％的光聚合单体；还包括占总重量0.1～5％的光引发剂；在所述复合材料同一空间位置，不仅能够在日光下呈现高亮度的全息图像及变色图像，而且能够在点状近红外激光光源激发下呈现上转换发光图像；所述上转换发光图像的面积是所述点状近红外激光光斑面积的2～225倍。本发明还公开了对应的制备方法及应用。本发明可用于高端防伪领域，解决了现有技术的单一图像防伪难以确保安全性，而上转换图像尺寸过小而难以裸眼识别的技术问题。