公开(公告)号：CN104046957A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410247806.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  刘潇 ,  单斌 ,  段晨龙 ,  王永庆 ,  文艳伟 ,  曾大文 ,  唐根

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后，通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的温度达到50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，实现三氢化铝粉体包面包覆厚度为1～1000nm包覆层，以实现粉体的稳定化。

公开(公告)号：CN104046957B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201410247806.0

申请日：2014-06-06

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 陈蓉 ,  刘潇 ,  单斌 ,  段晨龙 ,  王永庆 ,  文艳伟 ,  曾大文 ,  唐根

IPC: C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种三氢化铝表面包覆改性方法，采用原子层沉积技术在三氢化铝粉末表面沉积纳米厚度的金属氧化物或金属物质将其包覆，以提高三氢化铝粉末热稳定性，包括，S1：将三氢化铝粉体放入腔体内并抽真空；S2：加热腔体到设定温度且温度均匀稳定后，通入流化气，使三氢化铝预分散；S3：原子层沉积反应，当腔体内的温度达到50～130℃时，开始原子层沉积反应；S4：重复多次原子层沉积反应，使粉体表面沉积厚度不断增长，通过控制沉积反应循环的次数从而控制在三氢化铝粉体表面沉积的金属氧化物或金属的厚度，实现三氢化铝粉体包面包覆厚度为1～1000nm包覆层，以实现粉体的稳定化。