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公开(公告)号：CN111403588A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010040008.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体制冷相关技术领域，其公开了一种L形半导体热电臂结构及半导体制冷片，所述半导体热电臂结构呈L形，其包括冷端陶瓷基板、冷端导电导热铜片、P形热电臂、热端导电导热铜块、热端陶瓷基板及N形热电臂，所述P形热电臂、所述N形热电臂及所述热端导电导热铜块分别设置在所述热端陶瓷基板朝向所述冷端陶瓷基板的表面上；所述冷端导电导热铜片设置在所述P形热电臂及所述N形热电臂上，所述冷端陶瓷基板设置在所述冷端导电导热铜片上；其中，所述冷端导电导热铜片、所述P形热电臂、所述N形热电臂及所述热端导电导热铜块构成L形结构。本发明减小了电流的流经长度，同时优化了散热条件，提高了单位面积制冷量及响应速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111403588B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010040008.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体制冷相关技术领域，其公开了一种L形半导体热电臂结构及半导体制冷片，所述半导体热电臂结构呈L形，其包括冷端陶瓷基板、冷端导电导热铜片、P型热电臂、热端导电导热铜块、热端陶瓷基板及N型热电臂，所述P型热电臂、所述N型热电臂及所述热端导电导热铜块分别设置在所述热端陶瓷基板朝向所述冷端陶瓷基板的表面上；所述冷端导电导热铜片设置在所述P型热电臂及所述N型热电臂上，所述冷端陶瓷基板设置在所述冷端导电导热铜片上；其中，所述冷端导电导热铜片、所述P型热电臂、所述N型热电臂及所述热端导电导热铜块构成L形结构。本发明减小了电流的流经长度，同时优化了散热条件，提高了单位面积制冷量及响应速度。
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公开(公告)号：CN110071662A
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201910356557.1
申请日：2019-04-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02N11/00
Abstract: 本发明属于设计工业超低温余热领域，并公开了一种利用泡沫金属回收余热的温差发电装置。该装置包括风道、泡沫金属、热电片堆和冷却机构，其中，风道与废气管道连接，泡沫金属填充在风道中，用于吸收从废气管道进入风道中废气的热量，热电片堆包覆在风道外，冷却机构设置在热电片堆的外侧，泡沫金属吸收风道中废气的热量后，通过风道将热量传递给热电片堆的一侧，冷却机构在热电片堆的外侧降低该热电片另外一侧的温度，以此在热电片堆上形成温度差，该热电片堆将该温度差转化为电压输出，从而实现发电。通过本发明，有效回收数据中心、楼宇空调、SVG室等超低温废气余热，实现将热能转化为电能，变废为宝，安全可靠。
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公开(公告)号：CN113488444A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110722751.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/473 , G05D23/22 , H01L23/34
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米磁流体的芯片热点冷却系统，属于芯片散热领域，该系统包括微通道主冷却单元、辅助冷却单元、冷水机组和系统控制器，微通道主冷却单元包括主微通道换热器、电磁阵列和纳米磁流体冷却液，冷水机组为芯片的整体散热提供冷量；电磁阵列形成磁场区域，利用纳米磁流体的磁热效应为芯片热点提供额外制冷量；辅助冷却单元包括辅微通道换热器和换热流体，用于带走纳米磁流体励磁时产生的热量。系统控制器包括控制单元、温度传感器和直流电源，可以动态监测芯片热点位置和温度，并通过调节磁场强度实现不同热点的定点动态散热。本发明能以较小的能耗实现芯片热点的快速冷却，有效预防芯片的局部热失效，提高芯片表面温度的均匀性。
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公开(公告)号：CN113488444B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110722751.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/473 , G05D23/22 , H01L23/34
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米磁流体的芯片热点冷却系统，属于芯片散热领域，该系统包括微通道主冷却单元、辅助冷却单元、冷水机组和系统控制器，微通道主冷却单元包括主微通道换热器、电磁阵列和纳米磁流体冷却液，冷水机组为芯片的整体散热提供冷量；电磁阵列形成磁场区域，利用纳米磁流体的磁热效应为芯片热点提供额外制冷量；辅助冷却单元包括辅微通道换热器和换热流体，用于带走纳米磁流体励磁时产生的热量。系统控制器包括控制单元、温度传感器和直流电源，可以动态监测芯片热点位置和温度，并通过调节磁场强度实现不同热点的定点动态散热。本发明能以较小的能耗实现芯片热点的快速冷却，有效预防芯片的局部热失效，提高芯片表面温度的均匀性。
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公开(公告)号：CN110071662B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201910356557.1
申请日：2019-04-29
Applicant: 华中科技大学
IPC: H02N11/00
Abstract: 本发明属于设计工业超低温余热领域，并公开了一种利用泡沫金属回收余热的温差发电装置。该装置包括风道、泡沫金属、热电片堆和冷却机构，其中，风道与废气管道连接，泡沫金属填充在风道中，用于吸收从废气管道进入风道中废气的热量，热电片堆包覆在风道外，冷却机构设置在热电片堆的外侧，泡沫金属吸收风道中废气的热量后，通过风道将热量传递给热电片堆的一侧，冷却机构在热电片堆的外侧降低该热电片另外一侧的温度，以此在热电片堆上形成温度差，该热电片堆将该温度差转化为电压输出，从而实现发电。通过本发明，有效回收数据中心、楼宇空调、SVG室等超低温废气余热，实现将热能转化为电能，变废为宝，安全可靠。
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