一种基于薄膜铌酸锂和硅混合的光学卷积神经网络

    公开(公告)号:CN117436486A

    公开(公告)日:2024-01-23

    申请号:CN202311424796.9

    申请日:2023-10-31

    Abstract: 本发明公开了一种基于薄膜铌酸锂和硅混合的光学卷积神经网络,属于光计算领域。所述光学卷积神经网络包括:输入信息加载层、卷积层、池化层、非线性层和全连接层;输入信息加载层对光频梳进行光谱整形完成输入向量的加载,卷积层用薄膜铌酸锂相位调制器完成卷积计算,池化层用硅基滤波器进行平均池化,非线性层用PD驱动有源微环调制器来对光信号进行非线性操作,全连接层用硅基微环阵列完成矩阵向量乘法。该卷积神经网络利用在线训练完成网络的收敛,进而实现图像分类和处理等功能。这种基于薄膜铌酸锂和硅混合的光学卷积神经网络具有高算力、低能耗和超紧凑等优势,并且具有可扩展性,极大地提升光学矩阵计算的性能。

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