公开(公告)号：CN100505352C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200710168719.6

申请日：2007-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周治平 ,  张斌 ,  吴廷伟

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法。先在外延片的P型GaN层上依次逐层沉积反射层、P电极和绝缘层；在绝缘层和散热层上分别沉积键合金属材料；对准后进行键合；倒装后减薄衬底，再用激光聚焦在外延片的衬底与GaN缓冲层交界面进行衬底剥离；刻蚀GaN缓冲层直到N型GaN裸露并将裸露的N型GaN层图形化，使其上表面为三维凸起阵列；在图形化的N型GaN层上沉积一层ITO作为透明电极并在该结构的四角刻蚀出4个沟槽结构，刻蚀沟槽从顶端N型GaN层刻蚀到P型电极层裸露；在ITO上刻蚀出电极孔并沉积金属制作N电极焊点。本发明能提高出光效率和芯片性能，又能减化工艺过程，可增加单芯片面积和发光面积，提高其出光功率。

公开(公告)号：CN101183701A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710168719.6

申请日：2007-12-10

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 周治平 ,  张斌 ,  吴廷伟

IPC: H01L33/00

Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制备方法。先在外延片的P型GaN层上依次逐层沉积反射层、P电极和绝缘层；在绝缘层和散热层上分别沉积键合金属材料；对准后进行键合；倒装后减薄衬底，再用激光聚焦在外延片的衬底与GaN缓冲层交界面进行衬底剥离；刻蚀GaN缓冲层直到N型GaN裸露并将裸露的N型GaN层图形化，使其上表面为三维凸起阵列；在图形化的N型GaN层上沉积一层ITO作为透明电极并在该结构的四角刻蚀出4个沟槽结构，刻蚀沟槽从顶端N型GaN层刻蚀到P型电极层裸露；在ITO上刻蚀出电极孔并沉积金属制作N电极焊点。本发明能提高出光效率和芯片性能，又能减化工艺过程，可增加单芯片面积和发光面积，提高其出光功率。