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公开(公告)号：CN110407156B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201810399754.7
申请日：2018-04-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于激光直写工艺在三维表面制备厚膜热电偶的方法，涉及激光微加工和膜传感器技术领域，其包括：S1准备电子浆料；S2计算获得不同浆料在曲面上的复合直写的工艺参数；S3：在待制备热电偶的曲面上制备绝缘介质层；S4将电子浆料分别用微笔涂覆在绝缘介质层表面，制备获得Pt导线和PtRh导线，两条导线的最小夹角不小于45°；S5：在两条导线的热结点处，用激光进行精确点焊，点焊前用微笔在热结点处预制Pt浆料。本发明方法所制热电偶的尺寸介于薄膜工艺和传统厚膜工艺制备的热电偶之间，能够让热电偶同时具有稳定性好且响应速度快，本发明方法简便容易控制，且具备在大尺寸复杂曲面上制备热电偶的能力。
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公开(公告)号：CN104105353B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201410314204.2
申请日：2014-07-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度陶瓷电路板的制作方法，包括将激光照射在覆盖了钯离子固态薄膜的陶瓷基板表面，控制激光能量密度达到基板改性阈值以上，使陶瓷基板表面形成V型微槽结构，该微槽内钯离子被还原成原子态并在高温下与氧原子结合形成化学稳定性极高的氧化钯，并与基板形成牢固的冶金结合，而激光热影响区内基板表面结构未发生改变，钯离子仅被还原成金属钯。通过化学清洗步骤，选择性清除热影响区内的金属钯，留下微槽结构内的氧化钯作为催化化学镀反应的活性中心。然后实施化学镀，可以得到高精度导电线路。该技术能够在陶瓷基板的表面快速制备导电线路，对基板材料无特殊要求，所得导电线路精度高，导电性好，结合力强。
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公开(公告)号：CN111613888B
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202010490076.2
申请日：2020-06-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法及产品，属于多层天线制造领域，包括：S1采用3D打印方式制备支撑结构基体，S2在步骤S1获得的支撑结构基体表面制备具有催化能力的活化图案，S3在活化图案上沉积金属，获得与活化图案相一致的金属图案层，首次制备的金属图案为第一金属图案层，S4制备介质层，介质层用于隔离相邻两层金属图案层，首次制备的介质层为第一介质层，S5制备穿透介质层的垂直互联通孔，该垂直互联通孔具有导电能力以能互联相邻两层金属图案层，S6在第一介质层上制备第二金属图案层。本发明方法能实现快速、高质量、廉价地制备多层互联立体电路。
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公开(公告)号：CN108617102A
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201810317523.7
申请日：2018-04-10
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05K3/18
Abstract: 本发明属于导电线路板制作相关技术领域，其公开了一种陶瓷电路板的制作方法，该制作方法包括以下步骤：(1)预置前驱体于陶瓷基板的表面上；(2)利用激光按照预设电路图形轨迹辐照所述前驱体所在的陶瓷基板的表面以实现所述陶瓷基板的激光表面改性；(3)对所述陶瓷基板进行超声清洗，以去除所述陶瓷基板未经所述激光处理的区域内的前驱体；(4)将所述陶瓷基板浸泡于腐蚀液中，以去除激光表面改性时所述陶瓷基板上生成的重熔层；(5)对所述陶瓷基板进行化学镀，以完成陶瓷电路板的制作。本发明有效提高了镀层与陶瓷基板之间的结合强度，减小了导线宽度，提高了精度。
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公开(公告)号：CN111613888A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010490076.2
申请日：2020-06-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多层互联立体电路的一体化共形制造方法及产品，属于多层天线制造领域，包括：S1采用3D打印方式制备支撑结构基体，S2在步骤S1获得的支撑结构基体表面制备具有催化能力的活化图案，S3在活化图案上沉积金属，获得与活化图案相一致的金属图案层，首次制备的金属图案为第一金属图案层，S4制备介质层，介质层用于隔离相邻两层金属图案层，首次制备的介质层为第一介质层，S5制备穿透介质层的垂直互联通孔，该垂直互联通孔具有导电能力以能互联相邻两层金属图案层，S6在第一介质层上制备第二金属图案层。本发明方法能实现快速、高质量、廉价地制备多层互联立体电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111609951A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010515636.5
申请日：2020-06-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K17/00
Abstract: 本发明公开了一种厚膜热流计的共形制备方法，属于厚膜传感器领域，包括：S1在基体待测部位制备凹槽，凹槽用于提供制备热阻层的场所，S2在凹槽中制备热阻层，S3制备绝缘层，S4在绝缘层上制备热电正极、热电负极和热结点，形成热电堆图形，S5制备表面保护层，表面保护层用于提高热流计的稳定性。本发明中，采用激光微熔覆技术方便高效的进行电子浆料的直写和微熔覆，从而在多种不同基板表面制备热流计，具有工艺简单、无需掩模、制造周期短、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN103781285B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410054076.2
申请日：2014-02-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明旨在提出一种在二维或三维陶瓷材料表面制作与修复电线路的通用方法，即利用激光束，按照预先设计的线路图案，对预覆有特定金属的离子或络离子的陶瓷材料表面进行加工处理，然后实施化学镀，就能得到所需的导电线路。该技术能够在多种陶瓷基板(包括平面的和三维的)的表面快速直接地制备或修复各种复杂的导电线路，对基板材料无特殊要求，不需要真空，成本低，柔性化程度高，效率高；所得导电线路表面均匀致密，无裂纹，导电性好，结合力好；因而具有通用性。
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公开(公告)号：CN104105353A
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201410314204.2
申请日：2014-07-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高精度陶瓷电路板的制作方法，包括将激光照射在覆盖了钯离子固态薄膜的陶瓷基板表面，控制激光能量密度达到基板改性阈值以上，使陶瓷基板表面形成V型微槽结构，该微槽内钯离子被还原成原子态并在高温下与氧原子结合形成化学稳定性极高的氧化钯，并与基板形成牢固的冶金结合，而激光热影响区内基板表面结构未发生改变，钯离子仅被还原成金属钯。通过化学清洗步骤，选择性清除热影响区内的金属钯，留下微槽结构内的氧化钯作为催化化学镀反应的活性中心。然后实施化学镀，可以得到高精度导电线路。该技术能够在陶瓷基板的表面快速制备导电线路，对基板材料无特殊要求，所得导电线路精度高，导电性好，结合力强。
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公开(公告)号：CN111609951B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010515636.5
申请日：2020-06-09
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01K17/00
Abstract: 本发明公开了一种厚膜热流计的共形制备方法，属于厚膜传感器领域，包括：S1在基体待测部位制备凹槽，凹槽用于提供制备热阻层的场所，S2在凹槽中制备热阻层，S3制备绝缘层，S4在绝缘层上制备热电正极、热电负极和热结点，形成热电堆图形，S5制备表面保护层，表面保护层用于提高热流计的稳定性。本发明中，采用激光微熔覆技术方便高效的进行电子浆料的直写和微熔覆，从而在多种不同基板表面制备热流计，具有工艺简单、无需掩模、制造周期短、成本低的优点。
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公开(公告)号：CN109618505B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201811273109.7
申请日：2018-10-30
Applicant: 华中科技大学
IPC: H05K3/42
Abstract: 本发明属于电子制造相关技术领域，其公开了一种直接敷铜陶瓷基板的高厚径比通孔互连的方法，该方法包括以下步骤：(1)采用脉冲激光在DBC基板上切割出通孔，所述通孔贯穿所述DBC基板，且其孔壁上熔覆有铜籽晶薄层，所述铜籽晶薄层作为后续电镀的籽晶层；(2)以所述籽晶层作为种子层，采用脉冲电镀方式对所述通孔进行电镀填孔以在所述通孔内形成纯铜柱，所述纯铜柱的两端分别电性连接所述DBC基板相背设置的两个铜箔层，由此实现双面铜箔层的电性连接。本发明制备的纯铜柱互连结构的厚径比高，导电性高，可靠性高，有利于电子制造技术向高密度及高精度发展。
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