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公开(公告)号：CN106525683A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610955290.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜渗透率测量技术领域，并公开了一种薄膜渗透率测量装置，包括机械泵、第一真空阀、第二真空阀、气源、球阀、待测气体室、第一真空计、放样处、积累室、第二真空计、第一气动挡板阀、分子泵、第二气动挡板阀、测量室、针阀和四级杆质谱仪。本发明采用了四级杆质谱仪，四级杆质谱仪分压的灵敏度非常高，可以测得微小的分压变化，从而提高测量精度，有利于提高柔性封装领域的渗透性测量的精确性。本发明由压块压紧样品，安装简便，而且可以多次测量不破坏样品，测量过程简便，而且本发明的测试装置体积较小，结构紧凑，使用方便，另外，本发明适用薄膜的种类多，而且可以针对多种待测气体进行测量。
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公开(公告)号：CN108550706A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810326767.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学材料制备领域，并具体公开了一种量子点光电探测器的制备方法，包括如下步骤：S1制备配体气氛：将有机物配体溶于溶剂中以形成配体溶液，使配体溶液以气体的形式充满整个密闭空间，进而制备获得配体气氛；S2制备量子点气体钝化薄膜：在基底上制备量子点薄膜，并将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中，以使配体气氛中的有机物配体钝化量子点表面；S3制备量子点光电探测器电极：最后在已钝化的量子点薄膜表面制备电极以制备获得量子点光电探测器。本发明能够大大减少暗电流的产生，且有机配体的钝化更加均匀，有利于光电探测器的大规模生产，节省有机配体。
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公开(公告)号：CN109920920B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910147910.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学材料制备领域，并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜，然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间，待配体交换完成后用溶剂进行清洗，从而完成配体交换层薄膜的制备；将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜，在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化，重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜，最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面，能够提高器件的光暗电流比，优化探测器的器件性能，并且形成PN结双层结构，能够有效提高响应速度。
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公开(公告)号：CN106525683B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201610955290.4
申请日：2016-10-27
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于薄膜渗透率测量技术领域，并公开了一种薄膜渗透率测量装置，包括机械泵、第一真空阀、第二真空阀、气源、球阀、待测气体室、第一真空计、放样处、积累室、第二真空计、第一气动挡板阀、分子泵、第二气动挡板阀、测量室、针阀和四级杆质谱仪。本发明采用了四级杆质谱仪，四级杆质谱仪分压的灵敏度非常高，可以测得微小的分压变化，从而提高测量精度，有利于提高柔性封装领域的渗透性测量的精确性。本发明由压块压紧样品，安装简便，而且可以多次测量不破坏样品，测量过程简便，而且本发明的测试装置体积较小，结构紧凑，使用方便，另外，本发明适用薄膜的种类多，而且可以针对多种待测气体进行测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110676396B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910854943.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于发光二极管制备相关技术领域，并公开了一种基于原子层沉积的钙钛矿量子点发光二极管加工方法，包括：采用热注入法合成钙钛矿量子点；采用旋涂方式制备钙钛矿量子点发光二极管，且针对量子点薄膜表面执行低温原子层沉积处理以实现改性和填充；对钙钛矿量子点发光二极管进行封装。本发明还公开了相应的钙钛矿量子点发光二极管产品。通过本发明，可有效提高量子点薄膜的发光效率和载流子迁移率，实现量子点的有效隔离和钙钛矿量子点离子迁移的有效锚定，相应显著提高了薄膜沉积效果并提升薄膜质量、降低成本，同时具备提高器件封装效果和水氧阻隔能力等优点。
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公开(公告)号：CN110144215A
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201910355689.2
申请日：2019-04-29
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于纳米晶制备相关技术领域，并公开了一种基于原子层沉积的纳米晶表面定向钝化方法，包括：采用热注入法合成纳米晶胶体；采用水解法将纳米晶颗粒均匀嵌入二氧化硅微球上；采用原子层沉积技术，在均匀嵌入有纳米晶颗粒的二氧化硅微球表面上继续沉积金属氧化物薄膜，由此完成整体的表面定向钝化处理过程。本发明还公开了相应的产品。通过本发明，能够有效解决量子点易受水氧侵蚀的问题，具有制备工艺简单，制备成本低等优点。
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公开(公告)号：CN108550706B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810326767.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学材料制备领域，并具体公开了一种量子点光电探测器的制备方法，包括如下步骤：S1制备配体气氛：将有机物配体溶于溶剂中以形成配体溶液，使配体溶液以气体的形式充满整个密闭空间，进而制备获得配体气氛；S2制备量子点气体钝化薄膜：在基底上制备量子点薄膜，并将制备有量子点薄膜的基底放置在步骤S1制备的配体气氛中，以使配体气氛中的有机物配体钝化量子点表面；S3制备量子点光电探测器电极：最后在已钝化的量子点薄膜表面制备电极以制备获得量子点光电探测器。本发明能够大大减少暗电流的产生，且有机配体的钝化更加均匀，有利于光电探测器的大规模生产，节省有机配体。
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公开(公告)号：CN110676396A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910854943.3
申请日：2019-09-10
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于发光二极管制备相关技术领域，并公开了一种基于原子层沉积的钙钛矿量子点发光二极管加工方法，包括：采用热注入法合成钙钛矿量子点；采用旋涂方式制备钙钛矿量子点发光二极管，且针对量子点薄膜表面执行低温原子层沉积处理以实现改性和填充；对钙钛矿量子点发光二极管进行封装。本发明还公开了相应的钙钛矿量子点发光二极管产品。通过本发明，可有效提高量子点薄膜的发光效率和载流子迁移率，实现量子点的有效隔离和钙钛矿量子点离子迁移的有效锚定，相应显著提高了薄膜沉积效果并提升薄膜质量、降低成本，同时具备提高器件封装效果和水氧阻隔能力等优点。
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公开(公告)号：CN109920920A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910147910.5
申请日：2019-02-28
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于光学材料制备领域，并公开了一种基于原子层沉积的量子点光电探测器及其制备方法。该制备方法包括将量子点溶液旋涂在洁净基底上制备第一量子点薄膜，然后将有机物配体溶液滴覆在第一量子点薄膜上并静置一段时间，待配体交换完成后用溶剂进行清洗，从而完成配体交换层薄膜的制备；将量子点溶液旋涂在配体交换层薄膜上制备单层量子点薄膜，在惰性气氛下进行原子层沉积使该单层量子点薄膜充分钝化，重复上述步骤数次从而获得钝化层薄膜，最后在钝化层薄膜上蒸镀电极制成量子点光电探测器。本发明采用原子层沉积技术钝化量子点薄膜表面，能够提高器件的光暗电流比，优化探测器的器件性能，并且形成PN结双层结构，能够有效提高响应速度。
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