一种能降低铝粘附的电磁轨道炮电枢以及表面改性方法

    公开(公告)号:CN115839637B

    公开(公告)日:2024-12-10

    申请号:CN202211501385.0

    申请日:2022-11-28

    Inventor: 张诚 卢天田 柳林

    Abstract: 本发明提供了一种能降低铝粘附的电磁轨道炮电枢以及表面改性方法,属于电磁轨道炮领域,本发明的电枢表面具有改性膜,改性膜与电磁轨道的铜合金材料具有正混合热,具有导电性能,比电枢自身的Al合金基体材料的软化温度和表面硬度更高,其为纯钨膜,纯银膜,钛合金膜、TiC合金膜、钨不锈钢膜或/和铬不锈钢膜,改性膜厚度为800nm~8μm,改性膜呈柱状晶结构。采用磁控溅射的方式在电枢表面制备改性膜。磁控溅射的功率为30W~200W,电枢表面的温度为298K~423K,溅射时间为30min~300min,保护性气体为氩气。本发明通过在电枢表面制备改性膜,能有效减少电磁炮电枢发射过程中的因熔化沉积而产生的铝合金粘附问题。

    一种能降低铝粘附的电磁轨道炮电枢以及表面改性方法

    公开(公告)号:CN115839637A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202211501385.0

    申请日:2022-11-28

    Inventor: 张诚 卢天田 柳林

    Abstract: 本发明提供了一种能降低铝粘附的电磁轨道炮电枢以及表面改性方法,属于电磁轨道炮领域,本发明的电枢表面具有改性膜,改性膜与电磁轨道的铜合金材料具有正混合热,具有导电性能,比电枢自身的Al合金基体材料的软化温度和表面硬度更高,其为纯钨膜,纯银膜,钛合金膜、TiC合金膜、钨不锈钢膜或/和铬不锈钢膜,改性膜厚度为800nm~8μm,改性膜呈柱状晶结构。采用磁控溅射的方式在电枢表面制备改性膜。磁控溅射的功率为30W~200W,电枢表面的温度为298K~423K,溅射时间为30min~300min,保护性气体为氩气。本发明通过在电枢表面制备改性膜,能有效减少电磁炮电枢发射过程中的因熔化沉积而产生的铝合金粘附问题。

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