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公开(公告)号：CN101261932A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810047370.5
申请日：2008-04-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明提供了一种低温圆片键合方法，分别在两圆片的键合区制作焊料层，在其中一圆片的焊料层表面制作活性反应层，将两圆片的键合区对准，向键合区施加挤压力，同时向活性反应层提供一个能量激励，使其发生固相反应产生大量热量，从而熔化焊料层实现两圆片的键合。本发明满足热膨胀系数差较大的同质或异质材料间的键合要求，提高了电子器件的封装效率，同时降低键合过程中产生的热变形、残余热应力对器件性能的影响。
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公开(公告)号：CN100486119C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200610019162.5
申请日：2006-05-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种结构化的LDPC编码方法，其步骤为：输入参数N，K，生成矩阵Hp，Hp为N-K阶的方阵，选取参数a，b，根据式(I)生成线性同余序列A0，A1，K Ap，K AM-1，再根据式(II)生成矩阵Hd；根据H＝[Hp|Hd]构造校验矩阵H；输入信息比特序列cd＝{di}，通过式(III)求取校验比特p1，利用迭代算法，即式(IV)，求取其余校验比特，组成校验矢量cp＝{pi}，根据上述步骤所获得的校验矢量cp＝{pi}，以及信息矢量cd＝{di}，得到编码码字c＝[cd|cp]。本发明获得的编码方法具有编码复杂度低，节省存储空间，性能优良等优点。
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公开(公告)号：CN1859012A
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200610019162.5
申请日：2006-05-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种结构化的LDPC编码方法，其步骤为：输入参数N，K，生成矩阵Hp，Hp为N－K阶的方阵，选取参数a，b，根据式(I)生成线性同余序列A0，A1，K AP，K AM－1，再根据式(II)生成矩阵Hd；根据H＝[Hp|Hd]构造校验矩阵H；输入信息比特序列cd＝{di}，通过式(III)求取校验比特p1，利用迭代算法，即式(IV)，求取其余校验比特，组成校验矢量cp＝{pi}，根据上述步骤所获得的校验矢量cp＝{pi}，以及信息矢量cd＝{di}，得到编码码字c＝[cd|cp]。本发明获得的编码方法具有编码复杂度低，节省存储空间，性能优良等优点。
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