公开(公告)号：CN103998656B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201180074686.3

申请日：2011-12-07

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 钟新华 ,  张文进

IPC: C30B13/00 ,  C30B19/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  C30B9/08 ,  C30B29/46 ,  C30B29/62

Abstract: 描述了非热注射合成半导体纳米晶体的方法。例如，多足硒化镉纳米晶体可以通过包括以下的方法制备：将经脱气的在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述多足硒化镉纳米晶体可以是四足硒化镉纳米晶体。

公开(公告)号：CN103998656A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201180074686.3

申请日：2011-12-07

Applicant: 华东理工大学

Inventor： 钟新华 ,  张文进

IPC: C30B13/00 ,  C30B19/00

CPC classification number: C01B19/007 ,  C30B9/08 ,  C30B29/46 ,  C30B29/62

Abstract: 描述了非热注射合成半导体纳米晶体的方法。例如，多足硒化镉纳米晶体可以通过包括以下的方法制备：将经脱气的在非配位溶剂中的包含氧化镉、硒、三辛基膦和羧酸的混合物从室温左右加热到约210℃，其中所述多足硒化镉纳米晶体可以是四足硒化镉纳米晶体。