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公开(公告)号：CN110970372B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN201910865104.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498 , H01L23/488 , H10D80/20 , H10D80/30
Abstract: 本发明涉及包括具有嵌入式半导体管芯的间隔件的半导体器件组件。在一般方面，一种半导体器件组件可以包括半导体管芯，该半导体管芯具有：第一表面，该第一表面包括有源电路；第二表面，该第二表面与第一表面相对；和多个侧表面。多个侧表面中的每个侧表面都可以在半导体管芯的第一表面和半导体管芯的第二表面之间延伸。半导体器件组件还可以包括导电间隔件，该导电间隔件具有限定在其中的腔。半导体管芯可以与导电间隔件电耦接和热耦接，半导体管芯至少部分地嵌入腔中。
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公开(公告)号：CN110491856B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201910669163.1
申请日：2015-09-08
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及基板结构和制造方法。半导体封装。实现可以包括基板，其包括与电绝缘层耦合的金属底板和在与耦合到金属底板的电绝缘层的表面相对的电绝缘层的表面上耦合到电绝缘层的多个金属迹线。多个金属迹线可以包括至少两个不同的迹线厚度，其中迹线厚度是垂直于与金属底板耦合的电绝缘层的表面测量的。封装可以包括至少一个耦合到基板的半导体器件、封装功率电子器件和基板的至少一部分的模制化合物、以及与基板耦合的至少一个封装电连接器。
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公开(公告)号：CN107078120B
公开(公告)日：2019-08-20
申请号：CN201580060207.0
申请日：2015-09-08
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 半导体封装。实现可以包括基板，其包括与电绝缘层耦合的金属底板和在与耦合到金属底板的电绝缘层的表面相对的电绝缘层的表面上耦合到电绝缘层的多个金属迹线。多个金属迹线可以包括至少两个不同的迹线厚度，其中迹线厚度是垂直于与金属底板耦合的电绝缘层的表面测量的。封装可以包括至少一个耦合到基板的半导体器件、封装功率电子器件和基板的至少一部分的模制化合物、以及与基板耦合的至少一个封装电连接器。
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公开(公告)号：CN115000027A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210192237.9
申请日：2022-03-01
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/538 , H01L21/56 , H01L21/768
Abstract: 本发明题为半导体器件的扇出型晶圆级封装。在总体方面，半导体器件组件可以包括具有背侧和前侧的半导体管芯，该背侧与基部联接，该前侧包括有源电路。该组件可以包括设置在前侧的第一部分上的第一树脂封装层。该第一树脂封装层可以被图案化以限定第一开口，该第一开口暴露前侧的穿过第一树脂封装层的第二部分。该组件可以包括信号分布结构，该信号分布结构设置在该第一树脂封装层上，并且通过该第一开口与该前侧电耦合。该组件可以包括设置在该信号分布结构的第一部分上的第二树脂封装层，该第二树脂封装层被图案化以限定暴露该信号分布结构的第二部分的第二开口。
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公开(公告)号：CN114649271A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202111530364.7
申请日：2021-12-14
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
Abstract: 本申请涉及半导体封装件及形成半导体封装件的方法。半导体封装件的实施方式可以包括第一衬底，该第一衬底包括与其物理地耦接的第一组引线和与其物理地耦接的第二组引线；第二衬底，该第二衬底耦接在该第一衬底上并且物理地耦接到该第一组引线和该第二组引线；和一个或多个半导体管芯，该一个或多个半导体管芯耦接在该第一衬底与该第二衬底之间。第二组引线可以与第一衬底电隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107078120A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580060207.0
申请日：2015-09-08
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/373
Abstract: 半导体封装。实现可以包括基板，其包括与电绝缘层耦合的金属底板和在与耦合到金属底板的电绝缘层的表面相对的电绝缘层的表面上耦合到电绝缘层的多个金属迹线。多个金属迹线可以包括至少两个不同的迹线厚度，其中迹线厚度是垂直于与金属底板耦合的电绝缘层的表面测量的。封装可以包括至少一个耦合到基板的半导体器件、封装功率电子器件和基板的至少一部分的模制化合物、以及与基板耦合的至少一个封装电连接器。
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公开(公告)号：CN110957283B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910889568.6
申请日：2019-09-20
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/56 , H02M7/00
Abstract: 本发明题为“功率模块和相关方法”。功率模块的实施方式可包括：基板，该基板具有第一侧和第二侧。功率模块可包括耦接到基板的第二侧的多根引线和在基板的五个或更多个表面的一部分上方的模塑料。功率模块还可包括从基板的第一侧延伸到模塑料的外边缘的开口。开口可被构造成接纳耦接设备，并且耦接设备可被构造成与散热器或封装支撑件耦接。
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公开(公告)号：CN111146145B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN201911040775.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L21/78 , H01L29/739
Abstract: 本发明题为“增强的半导体管芯及相关方法”。本发明公开了形成多个增强的管芯的方法的实施方式，该实施方式可以包括：在衬底上形成多个管芯；以及图案化金属组框架以形成多个金属板。多个金属板可以对应于多个管芯。该方法可以包括将金属组框架耦接在多个管芯上方并切单多个管芯。多个管芯中的每个管芯可以包括来自耦接在多个管芯上方的多个金属板中的对应金属板。
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公开(公告)号：CN115831987A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211046806.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开涉及侧壁保护的图像传感器封装。一种方法包括将玻璃片部署在包括至少一个图像传感器管芯的半导体基板的前侧上，通过部署在所述至少一个图像传感器管芯的边缘上的粘合剂材料的珠子将玻璃片附接到所述至少一个图像传感器管芯，以及从后侧锯切半导体基板以沿着所述至少一个图像传感器管芯的一侧形成沟槽。沟槽延伸穿过半导体基板的厚度并且穿过玻璃板的厚度的一部分。该方法还包括用模制材料填充沟槽以在所述至少一个图像传感器管芯的侧壁上形成模制材料层，以及将半导体基板单体化以隔离封住所述至少一个图像传感器管芯的个体图像传感器封装。
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公开(公告)号：CN115732423A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211050979.4
申请日：2022-08-30
Applicant: 半导体元件工业有限责任公司
IPC: H01L23/10 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/02 , H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 一种封装件及用于制造封装件的方法。该封装件包括中介衬底，该中介衬底具有至少一个贯穿衬底通孔(TSV)，至少一个TSV将中介衬底的顶表面电连接到中介衬底的底表面。封装件进一步包括至少一个半导体晶片，至少一个半导体晶片具有顶侧、底侧和侧壁。至少一个半导体晶片设置在中介衬底上，使得底侧电耦接到中介衬底的顶表面。模制材料至少设置在至少一个半导体晶片的一部分上，以及导电材料阵列设置在中介衬底的底表面上。导电材料阵列形成封装件的外部触点。
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