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发明公开
质子导体及其制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116711118A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202180089839.5

申请日：2021-08-12

Applicant: 千代田化工建设株式会社 , 国立大学法人京都大学

Inventor： 冈田佳巳 , 安西卓生 , 今川健一 , 江口浩一 , 松井敏明 , 室山广树 , 小关贵

IPC: H01M10/0562

Abstract: 本发明提供一种适合在200℃至600℃的温度范围内使用的质子导体及其制造方法。质子导体在300℃下的电导率为0.01S/cm以上，其中Li14‑2xZn1+x(GeO4)4的锂离子的一部分被质子取代。x是等于或大于0的数。Li14‑2xZn1+x(GeO4)4中包含的可移动锂离子的40％至70％，包含端值，可被质子取代。Li14‑2xZn1+x(GeO4)4中包含的可移动锂离子的50％至60％，包含端值，可被质子取代。一种质子导体的制造方法，包括通过将Li14‑2xZn1+x(GeO4)4浸入含酸的非水溶剂中来用质子取代部分锂离子的过程。

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