公开(公告)号：CN114793124B

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202210017315.1

申请日：2022-01-07

Applicant: 北欧半导体公司

Inventor： 萨米·卡尔沃宁 ,  皮特·斯文恩

IPC: H04B1/40

Abstract: 一种本机振荡器缓冲器电路(404)包括互补共源级(406)，所述互补共源级包括第一p沟道晶体管(MCSP)和第一n沟道晶体管(MCSN)，所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管被布置成使得它们的相应栅极端子在第一输入节点(407)处连接在一起，并且它们的相应漏极端子中的每一个在缓冲器输出节点(409)处连接在一起。互补源极跟随器级(408)包括第二p沟道晶体管(MSFP)和第二n沟道晶体管(MSFN)，所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管被布置成使得它们的相应栅极端子在第二输入节点(411)处连接在一起，并且它们的相应源极端子在缓冲器输出节点(409)处连接在一起。

公开(公告)号：CN114793124A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210017315.1

申请日：2022-01-07

Applicant: 北欧半导体公司

Inventor： 萨米·卡尔沃宁 ,  皮特·斯文恩

IPC: H04B1/40

Abstract: 一种本机振荡器缓冲器电路(404)包括互补共源级(406)，所述互补共源级包括第一p沟道晶体管(MCSP)和第一n沟道晶体管(MCSN)，所述第一p沟道晶体管和所述第一n沟道晶体管被布置成使得它们的相应栅极端子在第一输入节点(407)处连接在一起，并且它们的相应漏极端子中的每一个在缓冲器输出节点(409)处连接在一起。互补源极跟随器级(408)包括第二p沟道晶体管(MSFP)和第二n沟道晶体管(MSFN)，所述第二p沟道晶体管和所述第二n沟道晶体管被布置成使得它们的相应栅极端子在第二输入节点(411)处连接在一起，并且它们的相应源极端子在缓冲器输出节点(409)处连接在一起。