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公开(公告)号：CN109983684A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201780062667.6
申请日：2017-09-13
Applicant: 北欧半导体公司
Inventor： 萨穆利·安蒂·哈利凯南
Abstract: 一种降压电路(102)，包括电源开关电路部分(105)，所述电源开关电路部分(105)包括在开关节点(138)处连接的高侧场效应晶体管(128)和低侧场效应晶体管(130)。所述电源开关电路部分具有其中高侧晶体管被启用且低侧晶体管被禁用的导通状态，并且具有与之相反的断开状态。包括与开关节点连接的电感器(32)的能量储存电路部分(106)被布置成提供输出电压(136)。计时器(180)确定该输出电压下降到阈值所需的下降时间时长。控制器(107)使降压电路在第一操作模式与第二操作模式之间切换，在第一操作模式下，周期性脉冲宽度调制驱动信号被施加到高侧场效应晶体管和低侧场效应晶体管，在第二操作模式下，只有在输出电压达到阈值时脉冲才施加到高侧场效应晶体管和低侧场效应晶体管。
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公开(公告)号：CN109891730B
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN201780062693.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 北欧半导体公司
Inventor： 萨穆利·安蒂·哈利凯南
Abstract: 一种降压电路(102)，包括电源开关电路部分(10)，该电源开关电路部分(10)包括在开关节点(138)处连接的高侧场效应晶体管(128)和低侧场效应晶体管(130)。电源开关电路部分具有其中高侧晶体管被启用且低侧晶体管被禁用的导通状态，并且具有与之相反的断开状态。包括与开关节点连接的电感器(32)的能量储存电路部分(106)被布置成提供输出电压(136)。驱动电路部分(104)接收脉冲宽度调制控制信号并输出脉冲宽度调制(PWM)驱动信号。预偏置电路部分(150)响应于PWM驱动信号将偏压施加到高侧晶体管和低侧晶体管的栅极端子，其中预偏置电路部分被布置成使得：在导通状态与断开状态之间切换之前，被施加到当前被禁用的晶体管的栅极端子的偏压被设置为中间电压。
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公开(公告)号：CN109891730A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201780062693.9
申请日：2017-09-13
Applicant: 北欧半导体公司
Inventor： 萨穆利·安蒂·哈利凯南
Abstract: 一种降压电路(102)，包括电源开关电路部分(10)，该电源开关电路部分(10)包括在开关节点(138)处连接的高侧场效应晶体管(128)和低侧场效应晶体管(130)。电源开关电路部分具有其中高侧晶体管被启用且低侧晶体管被禁用的导通状态，并且具有与之相反的断开状态。包括与开关节点连接的电感器(32)的能量储存电路部分(106)被布置成提供输出电压(136)。驱动电路部分(104)接收脉冲宽度调制控制信号并输出脉冲宽度调制(PWM)驱动信号。预偏置电路部分(150)响应于PWM驱动信号将偏压施加到高侧晶体管和低侧晶体管的栅极端子，其中预偏置电路部分被布置成使得：在导通状态与断开状态之间切换之前，被施加到当前被禁用的晶体管的栅极端子的偏压被设置为中间电压。
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