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公开(公告)号：CN116875633A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311142282.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmSWEET6及其在创制玉米雄性不育系中的应用，ZmSWEET6包括2个旁系同源基因，分别具有SEQ ID NO.1和SEQ ID NO.2所示的核苷酸序列，编码的蛋白质具有SEQ ID NO.3和SEQ ID NO.4所示氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中同时定点突变ZmSWEET6的旁系同源基因，创制了sweet6a/6b突变体，导致完全雄性不育，发现了ZmSWEET6基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。本发明还针对获得的sweet6a/6b雄性不育突变体设计了功能分子标记，通过分子标记辅助选择筛选创制出稳定的玉米雄性不育系，对玉米雄性育性控制和杂交种子生产具有重要意义。
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公开(公告)号：CN119061194B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411562247.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京中智生物农业国际研究院 , 北京科技大学 , 北京首佳利华科技有限公司
IPC: C12Q1/6895 , C12N15/82 , C12N15/29 , C07K14/415 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明涉及基因工程育种及分子育种领域，具体公开了抗穗腐病新基因ZmER1及其在调控玉米穗腐病抗性中的应用。ZmER1基因核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示，其编码的蛋白质的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示。本发明通过全基因组关联分析鉴定出一组与玉米穗腐病抗性显著相关的SNP分子标记，利用CRISPR/Cas9基因编辑技术定点敲除玉米中ZmER1基因创制了两种不同突变类型的基因敲除突变体Zmer1‑1和Zmer1‑2，与野生型相比，突变体的穗腐病抗性均降低，说明ZmER1基因能够正调控玉米穗腐病抗性。本发明为研究玉米抗穗腐病分子机制奠定理论基础，同时为分子设计育种培育具有抗穗腐病特性的玉米优异新种质提供了新的分子标记和基因资源。
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公开(公告)号：CN119061194A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411562247.2
申请日：2024-11-05
Applicant: 北京中智生物农业国际研究院 , 北京科技大学 , 北京首佳利华科技有限公司
IPC: C12Q1/6895 , C12N15/82 , C12N15/29 , C07K14/415 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明涉及基因工程育种及分子育种领域，具体公开了抗穗腐病新基因ZmER1及其在调控玉米穗腐病抗性中的应用。ZmER1基因核苷酸序列如SEQ ID NO.1所示，其编码的蛋白质的氨基酸序列如SEQ ID NO.2所示。本发明通过全基因组关联分析鉴定出一组与玉米穗腐病抗性显著相关的SNP分子标记，利用CRISPR/Cas9基因编辑技术定点敲除玉米中ZmER1基因创制了两种不同突变类型的基因敲除突变体Zmer1‑1和Zmer1‑2，与野生型相比，突变体的穗腐病抗性均降低，说明ZmER1基因能够正调控玉米穗腐病抗性。本发明为研究玉米抗穗腐病分子机制奠定理论基础，同时为分子设计育种培育具有抗穗腐病特性的玉米优异新种质提供了新的分子标记和基因资源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116837002B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311121126.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12N15/82 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明公开了ZmDPP1及其编码蛋白在玉米育性控制中的应用。本发明采用EMS诱变获得一个玉米雄性不育突变体ddp1，通过图位克隆鉴定出一个控制玉米雄花发育的基因ZmDPP1。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中定点突变该基因，创制出3个ddp1的等位玉米雄性不育突变体，该突变体玉米雄花完全败育，通过后代筛选，可以得到不含转基因成分的不育突变体，进而应用于玉米不育化育种和制种。本发明还针对dpp1的三个等位雄性不育突变体设计了功能分子标记，在玉米雄性不育系培育、不育化杂交制种和分子标记辅助选择中具有重要的
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公开(公告)号：CN116875633B
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311142282.4
申请日：2023-09-06
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
Abstract: 本发明公开了雄性不育基因ZmSWEET6及其在创制玉米雄性不育系中的应用，ZmSWEET6包括2个旁系同源基因，分别具有SEQ ID NO.1和SEQ ID NO.2所示的核苷酸序列，编码的蛋白质具有SEQ ID NO.3和SEQ ID NO.4所示氨基酸序列。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中同时定点突变ZmSWEET6的旁系同源基因，创制了sweet6a/6b突变体，导致完全雄性不育，发现了ZmSWEET6基因对玉米雄性生殖发育的调控功能。本发明还针对获得的sweet6a/6b雄性不育
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公开(公告)号：CN116837002A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311121126.X
申请日：2023-09-01
Applicant: 北京首佳利华科技有限公司 , 北京科技大学 , 北京中智生物农业国际研究院
IPC: C12N15/29 , C07K14/415 , C12N15/82 , A01H5/00 , A01H6/46
Abstract: 本发明公开了ZmDPP1及其编码蛋白在玉米育性控制中的应用。本发明采用EMS诱变获得一个玉米雄性不育突变体ddp1，通过图位克隆鉴定出一个控制玉米雄花发育的基因ZmDPP1。本发明通过CRISPR/Cas9基因编辑技术在野生型玉米中定点突变该基因，创制出3个ddp1的等位玉米雄性不育突变体，该突变体玉米雄花完全败育，通过后代筛选，可以得到不含转基因成分的不育突变体，进而应用于玉米不育化育种和制种。本发明还针对dpp1的三个等位雄性不育突变体设计了功能分子标记，在玉米雄性不育系培育、不育化杂交制种和分子标记辅助选择中具有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN115935693A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211698502.7
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京钢研高纳科技股份有限公司 , 北京科技大学
IPC: G06F30/20 , G06F30/10 , G16C60/00 , G06F17/11 , G06F119/14 , G06F119/08
Abstract: 本发明涉及金属加工技术领域，尤其是涉及一种粉末高温合金VIDP熔炼过程中碳脱氧动力学的计算方法。包括如下步骤：S1：建立待求解的VIDP炉的几何模型；S2：赋予材料物性参数；S3：添加物理场并设置初始值和边界条件；包括磁场、湍流、化学和稀物质传递物理场；通过洛伦兹力将磁场与湍流耦合；S4：对几何模型进行网格划分；S5：求解计算得到VIDP熔炼的脱氧过程；S3中，在稀物质传递物理场中，将坩埚壁面及底面设置为通量边界，熔池上表面为反应边界，并设置C和O的扩散系数。本发明的计算方法得到的熔池平均氧含量随时间的变化曲线与实验测定值较为接近，能较好地预测VIDP熔炼过程中碳脱氧的实际情况，具有重要意义。
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公开(公告)号：CN115841060A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202211700689.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 北京钢研高纳科技股份有限公司 , 北京科技大学
IPC: G06F30/23 , G06F30/10 , G16C60/00 , G06F17/11 , G06F119/14
Abstract: 本发明涉及金属加工技术领域，尤其是涉及一种计算VIDP熔炼过程中夹杂物穿越渣/金界面的运动的方法。包括如下步骤：S1：建立待求解的真空感应脱气浇铸炉的几何模型；S2：赋予所述几何模型中材料的物性参数；S3：添加物理场并设置所述几何模型的初始值和边界条件；物理场包括磁场、湍流流场和流体流动颗粒跟踪物理场；S4：添加洛伦兹力将磁场与湍流流程耦合；S5：对所述几何模型进行网格划分；S6：求解计算得到夹杂物粒子的运动轨迹。本发明通过有限元仿真软件，对VIDP在磁场、流场等物理场下的模型建立，保证其耦合的准确性，并对VIDP熔炼过程中流体流动颗粒跟踪进行仿真计算。
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