公开(公告)号：CN118883977A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202411305785.3

申请日：2024-09-19

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 崔文强 ,  林海城 ,  常凯

IPC: G01N35/10 ,  G01Q30/18 ,  G01Q60/10 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种超高真空内样品在不同样品架的转移方法及系统，包括以下步骤S1：使用Omicron转换架在Omicron MBE系统的超高真空腔体内完成薄膜生长；S2：将超高真空便携腔通过锥形转接法兰安装到Omicron MBE系统的Loadlock上，通过烘烤除气将Loadlock抽至超高真空，将生长完毕的Omicron转换架传入Omicron MBE系统的Loadlock中；S3：打开手动闸板阀，将超高真空便携腔内的存样台向下伸入OmicronMBE系统的Loadlock。本发明通过设计兼容式样品托，实现了将Omicron MBE系统上生长的样品能够在不拿出超高真空的情况下，原位传入Unisoku STM系统内进行STM测量，解决了Omicron薄膜生长系统中生长的二维样品无法原位(指不拿出超高真空)在Unisoku STM系统上研究的问题。

公开(公告)号：CN118765155A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202411252263.1

申请日：2024-09-09

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 崔文强 ,  王新月

IPC: H10N52/01 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种超高真空内原位制作二维量子霍尔器件的装置及方法，包括可XY平面内旋转和Z轴移动的操纵台、样品台、样品架和传样杆，所述操纵台上固定有多根导轨柱，导轨柱的底端固定有环形支架；所述样品台固定安装在导轨柱上，样品台上开设有插槽，样品架插在插槽的内部，样品架内固定有1英寸大小的样品晶圆；所述样品台的正下方设有轮盘底座，轮盘底座包括轮盘座上层和轮盘座下层。本发明所有的过程全部处于超高真空内，结合超高真空分子束外延生长薄膜技术，在超高真空腔体内利用一种轮盘式原位更换掩膜的方法直接将分子束外延生长好的薄膜原位制备成栅压调控的二维量子霍尔器件，使得样品免受大气污染和氧化以及微纳加工过程中受到的化学污染，极大地提高了栅压调控的超导霍尔器件的制备效率，简化了流程，降低了成本。

公开(公告)号：CN118765155B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411252263.1

申请日：2024-09-09

Applicant: 北京量子信息科学研究院

Inventor： 崔文强 ,  王新月

IPC: H10N52/01 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687

Abstract: 本发明公开了一种超高真空内原位制作二维量子霍尔器件的装置及方法，包括可XY平面内旋转和Z轴移动的操纵台、样品台、样品架和传样杆，所述操纵台上固定有多根导轨柱，导轨柱的底端固定有环形支架；所述样品台固定安装在导轨柱上，样品台上开设有插槽，样品架插在插槽的内部，样品架内固定有1英寸大小的样品晶圆；所述样品台的正下方设有轮盘底座，轮盘底座包括轮盘座上层和轮盘座下层。本发明所有的过程全部处于超高真空内，结合超高真空分子束外延生长薄膜技术，在超高真空腔体内利用一种轮盘式原位更换掩膜的方法直接将分子束外延生长好的薄膜原位制备成栅压调控的二维量子霍尔器件，使得样品免受大气污染和氧化以及微纳加工过程中受到的化学污染，极大地提高了栅压调控的超导霍尔器件的制备效率，简化了流程，降低了成本。